公开(公告)号：CN101322244A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045051.X

申请日：2006-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·E·格雷科 ,  埃里克·L·赫德伯格 ,  张大勇 ,  保罗·S·麦克劳克林 ,  克里斯托弗·D·马齐 ,  诺曼·J·罗勒 ,  简·E·温

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于高功率应用的激光熔丝结构。具体地，本发明的激光熔丝结构包括第一和第二导电支承元件(12a、12b)、至少一个导电可熔链(14)、第一和第二连接元件(20a、20b)、以及第一和第二金属线(22a、22b)。导电支承元件(12a、12b)、导电可熔链(14)、以及金属线(22a、22b)位于第一金属层级(3)，而连接元件(20a、20b)位于不同的第二金属层级(4)且通过延伸于第一和第二金属层级(3、4)之间的导电通路堆叠(18a、18b、23a、23b)连接到导电支承元件(12a、12b)和金属线(22a、22b)。

公开(公告)号：CN101322244B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200680045051.X

申请日：2006-11-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·E·格雷科 ,  埃里克·L·赫德伯格 ,  张大勇 ,  保罗·S·麦克劳克林 ,  克里斯托弗·D·马齐 ,  诺曼·J·罗勒 ,  简·E·温

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于高功率应用的激光熔丝结构。具体地，本发明的激光熔丝结构包括第一和第二导电支承元件(12a、12b)、至少一个导电可熔链(14)、第一和第二连接元件(20a、20b)、以及第一和第二金属线(22a、22b)。导电支承元件(12a、12b)、导电可熔链(14)、以及金属线(22a、22b)位于第一金属层级(3)，而连接元件(20a、20b)位于不同的第二金属层级(4)且通过延伸于第一和第二金属层级(3、4)之间的导电通路堆叠(18a、18b、23a、23b)连接到导电支承元件(12a、12b)和金属线(22a、22b)。

公开(公告)号：CN1236479C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN01143895.9

申请日：2001-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 ,  斯蒂芬·E·格雷科 ,  杰弗里·C·赫德里克 ,  萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 ,  桑佩思·珀鲁肖瑟曼 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗伯特·罗森堡

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。

公开(公告)号：CN100547747C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680016656.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·E·格雷科 ,  西奥多勒斯·E·斯坦达尔特

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种对于同一半导体产品，即晶片或芯片上的不同电路形成不同的线后端(BEOL)布线的方法，所述方法包括同时在第一介电层(110)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(124)形成BEOL布线，和在第一介电层(110)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌通孔结构(126)形成BEOL布线。然后，同时在第二介电层(150)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(220)形成BEOL布线，和在第二介电层(150)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌线布线结构(160)形成BEOL布线。所述单金属镶嵌通孔结构具有双金属镶嵌结构的通孔部的大约两倍的宽度并且所述单金属镶嵌线布线结构具有双金属镶嵌结构的线布线部大约两倍的宽度。此外还公开了对于不同电路具有不同的BEOL宽度的半导体产品。

公开(公告)号：CN101176196A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680016656.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·E·格雷科 ,  西奥多勒斯·E·斯坦达尔特

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种对于同一半导体产品，即晶片或芯片上的不同电路形成不同的线后端(BEOL)布线的方法，所述方法包括同时在第一介电层(110)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(124)形成BEOL布线，和在第一介电层(110)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌通孔结构(126)形成BEOL布线。然后，同时在第二介电层(150)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(220)形成BEOL布线，和在第二介电层(150)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌线布线结构(160)形成BEOL布线。所述单金属镶嵌通孔结构具有双金属镶嵌结构的通孔部的大约两倍的宽度并且所述单金属镶嵌线布线结构具有双金属镶嵌结构的线布线部大约两倍的宽度。此外还公开了对于不同电路具有不同的BEOL宽度的半导体产品。

公开(公告)号：CN1427456A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN01143895.9

申请日：2001-12-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 ,  斯蒂芬·E·格雷科 ,  杰弗里·C·赫德里克 ,  萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 ,  桑佩思·珀鲁肖瑟曼 ,  肯尼思·P·罗德贝尔 ,  罗伯特·罗森堡

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。