公开(公告)号：CN1186814C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN01103434.3

申请日：2001-02-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·A·科恩 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  约翰·A·费兹西蒙斯 ,  斯蒂芬·M·盖兹 ,  莱恩·M·基格纳克 ,  保罗·C·詹米森 ,  康-吾·李 ,  辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ,  达尔·D·利斯坦诺 ,  伊万·西蒙尼 ,  霍雷肖·S·威尔德曼

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括，至少一个带导电金属元件的半导体衬底；还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层，其接触导电金属元件，该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分，由硅、碳、氮和氢形成，氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此，与扩散阻挡层的中间部分相比，氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1308375A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN01103434.3

申请日：2001-02-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·A·科恩 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  约翰·A·费兹西蒙斯 ,  斯蒂芬·M·盖兹 ,  莱恩·M·基格纳克 ,  保罗·C·詹米森 ,  康-吾·李 ,  辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ,  达尔·D·利斯坦诺 ,  伊万·西蒙尼 ,  霍雷肖·S·威尔德曼

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种带扩散阻挡层的半导体器件,该半导体器件包括,至少一个带导电金属元件的半导体衬底;还有加在至少一部分衬底上的一个扩散阻挡层,其接触导电金属元件,该扩散阻挡层有一个上表面、一个下表面和一个中间部分,由硅、碳、氮和氢形成,氮在整个扩散阻挡层中是非均匀分布的。因此,与扩散阻挡层的中间部分相比,氮在层的上表面和下表面附近浓度更大。还提供了制造这种半导体器件的方法。