公开(公告)号：CN101443903B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200780017300.9

申请日：2007-05-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 克里·伯恩斯坦 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  杰弗里·P·甘比诺 ,  马克·D·贾菲 ,  保罗·D·卡乔克 ,  斯蒂芬·E·卢斯 ,  安东尼·K·斯坦珀

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5329 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体结构及该结构的制作方法。该方法包括将背面硅(110A和110B)分别从两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)移除并采用掩埋氧化物层(115)将它们背对背结合，该两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)分别具有形成在其中的器件(130A和130B)。然后至下晶片(100A)中的器件(130A)的接触(210)形成在上晶片(100B)中，并且布线级(170)形成在上晶片(100B)上。下晶片(100A)可以包括布线级(170)。下晶片(100A)可以包括接触的焊盘垫(230)。至下晶片(100A)的硅层(120)的接触可以被硅化。

公开(公告)号：CN101443903A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017300.9

申请日：2007-05-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 克里·伯恩斯坦 ,  蒂莫西·J·多尔顿 ,  杰弗里·P·甘比诺 ,  马克·D·贾菲 ,  保罗·D·卡乔克 ,  斯蒂芬·E·卢斯 ,  安东尼·K·斯坦珀

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5329 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体结构及该结构的制作方法。该方法包括将背面硅(110A和110B)分别从两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)移除并采用掩埋氧化物层(115)将它们背对背结合，该两个绝缘体上硅晶片(110A和100B)分别具有形成在其中的器件(130A和130B)。然后至下晶片(100A)中的器件(130A)的接触(210)形成在上晶片(100B)中，并且布线级(170)形成在上晶片(100B)上。下晶片(100A)可以包括布线级(170)。下晶片(100A)可以包括接触的焊盘垫(230)。至下晶片(100A)的硅层(120)的接触可以被硅化。