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公开(公告)号：CN1236479C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01143895.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 , 斯蒂芬·E·格雷科 , 杰弗里·C·赫德里克 , 萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 , 桑佩思·珀鲁肖瑟曼 , 肯尼思·P·罗德贝尔 , 罗伯特·罗森堡
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。
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公开(公告)号：CN1199914A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN98107977.6
申请日：1998-05-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01F7/0278 , H01F41/16 , H01J29/68
Abstract: 本发明一般涉及一种新的金属/铁氧体层叠磁体及其制造方法。具体地说,本发明包括一种新的方法,用于制造具有大量通孔及用于电子和电子束控制的整体金属板和电极的大面积的层叠磁体。本发明还涉及磁矩阵和电子束源及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1151520C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98107977.6
申请日：1998-05-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01F7/0278 , H01F41/16 , H01J29/68
Abstract: 本发明一般涉及一种新的金属/铁氧体层叠磁体及其制造方法。具体地说，本发明包括一种新的方法，用于制造具有大量通孔及用于电子和电子束控制的整体金属板和电极的大面积的层叠磁体。本发明还涉及磁矩阵和电子束源及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1427456A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01143895.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 蒂莫西·J·多尔顿 , 斯蒂芬·E·格雷科 , 杰弗里·C·赫德里克 , 萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔 , 桑佩思·珀鲁肖瑟曼 , 肯尼思·P·罗德贝尔 , 罗伯特·罗森堡
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。
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