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公开(公告)号：CN1630077A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410092680.0
申请日：2004-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 , 马修·伊尔·科尔伯恩 , 蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 , 杰弗里·科蒂斯·海德里克 , 黄遏明 , 考什克·阿伦·库马尔 , 迈克尔·怀恩·雷恩 , 凯利·马龙 , 昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 , 萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 , 萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 , 罗伯特·罗森伯格 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 , 虞蓉卿
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。
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公开(公告)号：CN100428430C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN03158757.7
申请日：2003-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 肯尼思·M·戴维斯 , 胡朝坤 , 芬·F·杰米恩 , 斯蒂芬·K·卡尔多 , 马哈德韦耶·克里什南 , 考希克·库马 , 迈克尔·F·洛法罗 , 桑德拉·G·马洛特拉 , 钱德拉塞卡·纳拉延 , 戴维·L·拉思 , 朱迪思·M·鲁比诺 , 凯瑟琳·L·萨恩格 , 安德鲁·H·西蒙 , 西恩·P·E·史密斯 , 曾伟志
IPC: H01L21/44 , H01L21/441 , H01L23/522 , H01L23/525 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76834 , H01L21/76847 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。
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公开(公告)号：CN100530591C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610166984.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考希克·A·库马尔 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 尼古拉斯·C·M·富勒 , 陈行聪 , 海迪·L·贝克斯
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种在有机硅酸盐玻璃层内形成镶嵌互连结构而不损坏有机硅酸盐玻璃材料的方法。所述方法包括在有机硅酸盐玻璃层上形成硬掩模层的叠层，利用等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合定义硬掩模和有机硅酸盐玻璃层中的开口，并执行不包括含氧物质的一个或多个另外的等离子体蚀刻工艺以将所述开口蚀刻至形成镶嵌互连结构所需的深度以及去除由于等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合所损坏的任何有机硅酸盐材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100416820C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410092680.0
申请日：2004-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 , 马修·伊尔·科尔伯恩 , 蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 , 杰弗里·科蒂斯·海德里克 , 黄遏明 , 考什克·阿伦·库马尔 , 迈克尔·怀恩·雷恩 , 凯利·马龙 , 昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 , 萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 , 萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 , 罗伯特·罗森伯格 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 , 虞蓉卿
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。
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公开(公告)号：CN1728374A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510083277.6
申请日：2005-07-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832
Abstract: 本发明提供一种塑性和/或粘弹性变形层，该变形层可以和低k电介质(k小于4.0)联合使用以提供一种具有改善的稳定性的电子半导体结构。变形层可以包含在电子结构中的各种地方以耗散结构中的能量，这种能量可以引起低k电介质材料断裂或分层。而且，电子结构中存在变形层提高了合成结构的整体强度。
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公开(公告)号：CN1988132A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610166984.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 考希克·A·库马尔 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 尼古拉斯·C·M·富勒 , 陈行聪 , 海迪·L·贝克斯
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种在有机硅酸盐玻璃层内形成镶嵌互连结构而不损坏有机硅酸盐玻璃材料的方法。所述方法包括在有机硅酸盐玻璃层上形成硬掩模层的叠层，利用等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合定义硬掩模和有机硅酸盐玻璃层中的开口，并执行不包括含氧物质的一个或多个另外的等离子体蚀刻工艺以将所述开口蚀刻至形成镶嵌互连结构所需的深度以及去除由于等离子体蚀刻和等离子体光致抗蚀剂去除工艺的组合所损坏的任何有机硅酸盐材料。
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公开(公告)号：CN1801463A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510125167.1
申请日：2005-11-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 考什克·阿郎·库马尔 , 凯利·马罗尼
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/76831
Abstract: 受损伤的多孔OSG层和其它的损伤可以被化学修复。在亚90nmILD内的多孔OSG中，化学修复是特别有利的。例如，可以借助于使损伤与粘合促进剂发生反应来进行化学修复，此粘合促进剂的“k”值与损伤材料中所希望的“k”值可比拟。可以对损伤的多孔OSG层(亲水性的)进行控制，以便防止它们允许潮气到达铜线。在具有多孔OSG几何形状的ILD中，不希望有的铜外扩散能够得到控制。
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公开(公告)号：CN1508869A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03158757.7
申请日：2003-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈行聪 , 蒂莫西·J·多尔顿 , 肯尼思·M·戴维斯 , 胡朝坤 , 芬·F·杰米恩 , 斯蒂芬·K·卡尔多 , 马哈德韦耶·克里什南 , 考希克·库马 , 迈克尔·F·洛法罗 , 桑德拉·G·马洛特拉 , 钱德拉塞卡·纳拉延 , 戴维·L·拉思 , 朱迪思·M·鲁比诺 , 凯瑟琳·L·萨恩格 , 安德鲁·H·西蒙 , 西恩·P·E·史密斯 , 曾伟志
IPC: H01L23/525 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76834 , H01L21/76847 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构，其具有一层逻辑和功能器件，以及位于逻辑和功能器件层上的互连层。该互连层具有衬底、衬底中的导电部件、以及仅沉积在导电部件上的帽层。
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