公开(公告)号：CN118671990A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410191730.8

申请日：2024-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  林志昌

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/015 ,  G02B6/293

Abstract: 本发明提供一种包括用于脉冲幅度调制(PAM)的光调制器装置(OMD)的光学模块，其中OMD包括多个调制器区段。第一调制器区段与第二调制器区段沿环状波导彼此间隔开。此外，第二调制器区段的长度是第一调制器区段的长度的两倍。因此，第二调制器区段的功率因子是第一调制器区段的功率因子的两倍。在使用OMD期间，通过单独的不归零(NRZ)电性信号对第一调制器区段及第二调制器区段进行驱动。NRZ电性信号由驱动器产生，所述驱动器产生NRZ电性信号以对第一调制器区段及第二调制器区段的操作进行协调来产生PAM光学信号。

公开(公告)号：CN118280839A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410262143.3

申请日：2024-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚茜甯 ,  张家豪 ,  陈仕承 ,  王志豪 ,  蔡佳澄 ,  江国诚 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  庄宗翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 根据本申请的一些实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成多晶硅结构，在多晶硅结构上沉积第一间隔件层，在第一间隔件层上沉积第二间隔件层，在衬底上形成S/D区，去除第二间隔件层，在第一间隔件层上和S/D区上沉积第三间隔件层，在第三间隔件层上沉积ESL，在蚀刻停止层上沉积ILD层，并且用围绕纳米结构层的栅极结构替换多晶硅结构。

公开(公告)号：CN116520498A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310155395.1

申请日：2023-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  陈建宏 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  宋巍巍 ,  卓联洲

IPC: G02B6/293 ,  H04B10/80 ,  H04J14/02 ,  H04B10/50 ,  H04B10/516

Abstract: 光学器件包括第一波导、与第一波导相邻的环形波导以及与环形波导一一对应地耦合的加热器。一种方法包括将具有第一波长的第一光源耦合到第一波导，增加通过所述加热器的电流直到所述环形波导中的第一环形波导谐振，将第一环形光波导分配至第一波长，将通过加热器的电流重置为初始电流，将具有第二波长的第二光源耦合到第一波导，其中第二波长不同于第一波长，增加通过加热器的电流直到环形波导中的第二环形波导谐振，其中环形波导中的第二环形波导与环形波导中的第一环形波导不同，以及将环形波导中的第二环形波导分配至第二波长。本申请的实施例还公开了光学系统以及操作光学器件、光学发射器的方法。

公开(公告)号：CN115377000A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210665495.4

申请日：2022-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏焕杰 ,  林志昌 ,  游力蓁 ,  谌俊元 ,  张罗衡 ,  庄正吉 ,  王志豪 ,  黄麟淯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体结构。半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以及介于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的源极/漏极间隔件结构。栅极隔离结构覆盖源极/漏极间隔件结构的侧壁。本发明的实施例还提供了一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN110957299B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201910916829.9

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  蔡腾群 ,  吴伟豪

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括半导体衬底；第一导电部件和第二导电部件，设置在半导体衬底上；以及交错的介电部件，插入在第一导电部件和第二导电部件之间。交错的介电部件包括相互交叉的第一介电层和第二介电层。第一介电层包括第一介电材料，并且第二介电层包括与第一介电材料不同的第二介电材料。

公开(公告)号：CN113113296A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110198205.5

申请日：2021-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘冠廷 ,  苏焕杰 ,  林志昌 ,  朱熙甯 ,  詹易叡 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置的制造方法包括于多个鳍片之上形成虚置栅极。接着，移除虚置栅极的第一部分以形成第一沟槽，第一沟槽露出第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分。半导体装置的制造方法还包括以第一介电材料填充第一沟槽，第一介电材料设置于第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分之上。接着，移除虚置栅极的第二部分以形成第二沟槽，且以金属层填充第二沟槽。半导体装置的制造方法还包括回蚀刻金属层，其中在回蚀刻金属层的步骤之后，金属层的第一顶表面定义出第一平面，第二混合鳍片的第二部分的第二顶表面定义出第二平面，且第一平面设置于第二平面下方。

公开(公告)号：CN112713118A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011145950.5

申请日：2020-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  林志昌 ,  黄耀陞 ,  时定康 ,  林群雄 ,  峰地辉 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成垂直结构于基板之上；形成栅极结构于垂直结构的部分之上；露出垂直结构的部分的侧壁；形成间隔物于垂直结构的部分的侧壁之上；以及形成间隙于每一间隔物之中。

公开(公告)号：CN111092078A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911010895.6

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  苏焕杰 ,  林志昌 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 此处提供具有鳍状场效晶体管装置的集成电路装置与形成集成电路装置的方法。在一些例子中，集成电路装置包括基板；鳍状物，自基板延伸；栅极，位于鳍状物的第一侧上；以及栅极间隔物，沿着栅极的侧部。栅极间隔物具有沿着栅极延伸且具有第一宽度的第一部分，以及延伸于栅极上且具有第二宽度的第二部分，而第二宽度大于第一宽度。在这些例子中，栅极间隔物的第二部分包括位于栅极上的栅极间隔物层。

公开(公告)号：CN110943081A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910813498.6

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  吴伟豪 ,  余佳霓

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物、第一虚置鳍状物与第二虚置鳍状物以及第三装置鳍状物与第四装置鳍状物。第一装置鳍状物与第二装置鳍状物其各自位于半导体装置的第一区中。第一区具有第一图案密度。第一虚置鳍状物位于第一区中。第一虚置鳍状物位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。第一虚置鳍状物具有第一高度。第三装置鳍状物与第四装置鳍状物，各自位于半导体装置的第二区中。第二区具有第二图案密度，且第二图案密度大于第一图案密度。第二虚置鳍状物位于第二区中。第二虚置鳍状物位于第三装置鳍状物与第四装置鳍状物之间。第二虚置鳍状物具有第二高度，且第二高度大于第一高度。

公开(公告)号：CN110660854A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910126403.3

申请日：2019-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  吴伟豪 ,  余佳霓 ,  苏焕杰 ,  徐廷鋐 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在半导体元件上方形成遮罩层，其中半导体元件包含：栅极结构；第一层，设置于栅极结构上方；以及层间介电质，设置于第一层的侧壁上，且其中遮罩层定义开口暴露出第一层的一部分和层间介电质的一部分；进行第一蚀刻工艺，以通过开口蚀刻第一层的一部分和层间介电质的一部分；在进行第一蚀刻工艺之后，在开口中形成一衬垫层；在形成衬垫层之后，进行第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻工艺使开口向下延伸而穿过第一层和穿过栅极结构；以及在进行第二蚀刻工艺之后，以第二层填充开口。