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公开(公告)号：CN115295492A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210791965.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括内侧壁间隔件和位于内侧壁间隔件的外侧上的伪间隔件部分。该方法还包括去除伪间隔件部分以形成沟槽，并且形成介电层以密封沟槽的部分以作为气隙。气隙和内侧壁间隔件的组合形成第二栅极间隔件。源极/漏极区域形成为具有位于第二栅极间隔件的外侧上的部分。本发明实施例涉及晶体管中的空气间隔件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113113311A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110198485.X
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/10
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。接收半导体结构，其具有第一鳍状物与第二鳍状物。形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。形成第一盖层于第一外延结构上。形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。沉积第一金属于第二外延结构与第一盖层上。自第一金属与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属与第一盖层形成第二盖层。选择性移除第二盖层。沉积第二金属于第一外延结构与第二外延结构上。自第二金属与第一外延结构形成第二硅化物层。
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公开(公告)号：CN112509977A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010668082.2
申请日：2020-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包含在基底上方形成第一栅极堆叠，基底具有基座和在基座上方的第一鳍片结构，并且第一栅极堆叠包覆环绕第一鳍片结构的第一上部周围。此方法包含部分地移除未被第一栅极堆叠覆盖的第一鳍片结构。此方法包含在第一鳍片结构的第一侧壁上方形成第一掩膜层。此方法包含在第一掩膜层覆盖第一侧壁的同时，在第一鳍片结构的第二侧壁上方形成第一应力物，第一侧壁与第二侧壁相对，此方法包含移除第一掩膜层。此方法包含在基座和第一应力物上方形成介电层，介电层覆盖第一侧壁。
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公开(公告)号：CN110957223A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910893163.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。
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公开(公告)号：CN106469684B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201510859677.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/485
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置的形成方法包括形成第一栅极结构于基板上，形成源极/漏极特征于基板中且邻近第一栅极结构，形成介电层于第一栅极结构及源极/漏极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一栅极结构及源极/漏极特征的第一沟槽，形成第一导电特征结构于第一沟槽中，移除第一栅极结构的第一部分，以形成第二沟槽，以及形成第二导电特征结构于第二沟槽中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039278A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611021412.9
申请日：2016-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括形成从衬底延伸的鳍。鳍具有源极/漏极(S/D)区和沟道区。鳍包括第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层具有第一组分，且第二半导体层具有不同于第一组分的第二组分。该方法还包括从鳍的S/D区去除第一半导体层，从而使得第二半导体层的在S/D区中的第一部分悬置在间隔中。该方法还包括在S/D区中外延生长第三半导体层，第三半导体层围绕在第二半导体层的第一部分周围。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN111129146A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911050799.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。
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公开(公告)号：CN106373883B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201510826948.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法。高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的实施例，包括栅极电极于半导体基材上、及多层半导体帽冠于半导体基材上且邻于栅极电极。多层半导体帽冠包含第一半导体层及材质异于第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层通过第一间隔而与栅极电极侧向相间隔，而第二半导体层通过较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。如此所形成的高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的电阻会下降，而能优越地改善晶体管的导电度(Gm)及通态电流(Ion)特性，却不增加漏电电流。
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公开(公告)号：CN109427899A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711340793.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构。在栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层。牺牲层形成为使得从牺牲层暴露具有第一侧壁间隔物件层的栅极结构的上部，并且具有第一侧壁间隔件层的栅极结构的底部嵌入到牺牲层中。通过去除第一侧壁间隔件层的至少部分，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成间隔。在去除第一侧壁间隔件层之后，通过在栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN104347423B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201310662452.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/2254 , H01L21/28518 , H01L21/76224 , H01L29/1054 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/66651 , H01L29/66803
Abstract: 本发明公开了集成结和接触件的形成以形成晶体管，其中，一种方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，在半导体区域上方沉积杂质层，在杂质层上方沉积金属层。然后实施退火，其中，杂质层中的元素通过退火扩散进半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域，并且金属层与半导体区域的该部分的表面层反应以在源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域。
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