公开(公告)号：CN110783194A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910354383.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄耀陞 ,  孙宏彰 ,  张毅敏 ,  方子韦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在横跨半导体鳍片的第一部分上形成虚设栅极结构。在横跨半导体鳍片的第二部分上形成掺杂的半导体层。在横跨掺杂的半导体层上形成介电层。介电层和掺杂的半导体层之间的界面实质上与半导体鳍片的顶面和侧壁的组合的轮廓共形。使用金属栅极结构替换虚设栅极结构。

公开(公告)号：CN112713118A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011145950.5

申请日：2020-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  林志昌 ,  黄耀陞 ,  时定康 ,  林群雄 ,  峰地辉 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成垂直结构于基板之上；形成栅极结构于垂直结构的部分之上；露出垂直结构的部分的侧壁；形成间隔物于垂直结构的部分的侧壁之上；以及形成间隙于每一间隔物之中。