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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153468A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411152288.4
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/77
Abstract: 器件包括：衬底；半导体沟道堆叠件，位于衬底上；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；以及混合结构，位于源极/漏极区域和衬底之间。混合结构包括：第一半导体层，位于源极/漏极区域下方；以及隔离区域，从第一半导体层的上表面垂直延伸至第一半导体层的底面之上的层级。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119300460A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411294281.6
申请日：2024-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 器件包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于衬底上并且定位在鳍上方；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极，邻接半导体沟道；内部间隔件，定位在半导体沟道堆叠件和鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近源极/漏极并且横向邻近鳍；以及隔离结构，隔离结构横向围绕未掺杂半导体层，隔离结构位于源极/漏极和内部间隔件之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118156309A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410178557.8
申请日：2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 器件包括：纳米结构的堆叠件；栅极结构，栅极结构包裹纳米结构；隔离区域，沿第一方向位于纳米结构的堆叠件和与其相邻的另一纳米结构的堆叠件之间；源极/漏极区域，源极/漏极区域邻接纳米结构中的至少一个；以及间隔件层，间隔件层位于栅极结构的侧壁上和源极/漏极区域的侧壁上，间隔件层沿第一方向覆盖源极/漏极区域和另一晶体管的相邻源极/漏极区域之间的区。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118280839A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410262143.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 根据本申请的一些实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成多晶硅结构，在多晶硅结构上沉积第一间隔件层，在第一间隔件层上沉积第二间隔件层，在衬底上形成S/D区，去除第二间隔件层，在第一间隔件层上和S/D区上沉积第三间隔件层，在第三间隔件层上沉积ESL，在蚀刻停止层上沉积ILD层，并且用围绕纳米结构层的栅极结构替换多晶硅结构。
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公开(公告)号：CN119300409A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411301710.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性半导体结构包括第一晶体管。第一晶体管包括：第一栅极结构，包裹设置在衬底上方的多个第一纳米结构；第一源极/漏极部件，电耦合至多个第一纳米结构的最顶部纳米结构，并且通过第一介电层与多个第一纳米结构的最底部纳米结构隔离；以及第一半导体层，设置在衬底和第一源极/漏极部件之间，其中，第一源极/漏极部件与第一半导体层的顶面直接接触。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法和晶体管。
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