公开(公告)号：CN119947219A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411838606.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  郑佳芸 ,  吕育玮

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构的制造方法包括形成多个半导体层堆叠，各个堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一半导体层及多个第二层。然后，形成栅极电极结构于各个半导体层堆叠上，各个栅极电极结构包括栅极间隔件。形成外延层于各对相邻半导体层堆叠之间的开口。在形成外延层后，以一斜角度对栅极间隔件施加氧离子束，以在栅极间隔件上形成具有一斜角度的氧化材料。然后用稀释的氢氟酸(HF)溶液去除氧化材料。

公开(公告)号：CN113488465A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110409617.9

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家宏 ,  王菘豊 ,  梁顺鑫 ,  张旭凯 ,  时定康 ,  洪宗佑 ,  蔡邦彦 ,  林耕竹

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112242356A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010320880.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 时定康 ,  陈振隆 ,  蔡邦彦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一种制造方法包括提供工件，工件包括第一源极/漏极区在第一装置区中，及第二源极/漏极区在第二装置区中，在第一源极/漏极区及第二源极/漏极区上沉积介电层，在介电层中形成第一导孔开口以露出第一源极/漏极区，并在介电层中形成第二导孔开口以露出第二源极/漏极区，退火工件以在露出的第一源极/漏极区上形成第一半导体氧化物部件，并在露出的第二源极/漏极区上形成第二半导体氧化物部件，去除第一半导体氧化物部件以露出在介电层中第一导孔开口中的第一源极/漏极区，以及选择性地在露出的第一源极/漏极区上形成第一外延部件。

公开(公告)号：CN103811550A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310034600.5

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  时定康 ,  林经祥 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。

公开(公告)号：CN115565881A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210958934.0

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 时定康 ,  蔡邦彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 提供一种半导体装置的通道结构，以及所述装置的制造方法。所述方法可包括：形成超晶格结构在鳍片结构上，所述超晶格结构含有多个第一纳米结构层及多个第二纳米结构层。所述方法亦可包括：移除所述第二纳米结构层，以形成多个栅极开口；在第一温度及第一压力下，形成锗外延成长层于所述第一纳米结构层上；在第一预定期间，增加第一温度至第二温度及增加第一压力至第二压力。所述方法更可包括：在第二预定期间，于第二温度及第二压力的腔室中，退火锗外延成长层，以形成环绕所述第一纳米结构层的被覆层。

公开(公告)号：CN110660845A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910419201.8

申请日：2019-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 时定康 ,  蔡邦彦

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体结构的制造方法包含提供p型源极/漏极外延部件和n型源极/漏极外延部件，在n型源极/漏极外延部件和p型源极/漏极外延部件上方形成半导体材料层，以含锗气体处理半导体材料层，其中半导体材料层的处理在半导体材料层上方形成含锗层，蚀刻含锗层，其中含锗层的蚀刻移除形成于n型源极/漏极外延部件上方的含锗层和形成于p型源极/漏极外延部件上方的半导体材料层，以及在留在n型源极/漏极外延部件上方的半导体材料层上方形成第一源极/漏极接触件和在p型源极/漏极外延部件上方形成第二源极/漏极接触件。半导体材料层的组成可以类似于n型源极/漏极外延部件的组成。

公开(公告)号：CN103811550B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310034600.5

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  时定康 ,  林经祥 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。

公开(公告)号：CN119421430A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411324044.X

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王绍安 ,  时定康 ,  白佳灵 ,  林斌彦

IPC: H10D30/01 ,  H10D84/03 ,  H01L21/3065

Abstract: 公开一种形成半导体装置的源极/漏极区的方法。此方法包含形成鳍片结构于基板之上、形成多晶硅结构于鳍片结构之上、移除与多晶硅结构相邻的鳍片结构以形成开口以及形成源极/漏极区于开口之中。形成源极/漏极区包含将开口之中的鳍片结构暴露于：在气流循环的第一阶段期间的前驱气体的第一流速；在气流循环的第二阶段期间的前驱气体的第二流速。将开口之中的鳍片结构暴露于前驱气体、蚀刻气体以及等离子体是在原位工艺(in‑situ)中所执行的。

公开(公告)号：CN111106066B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201910780511.2

申请日：2019-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 时定康 ,  王菘豊 ,  蔡邦彦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08

Abstract: 本文提供了在源极/漏极部件和接触件之间具有界面的集成电路的实例以及用于形成集成电路的方法的实例。在一些实施例中，该方法包括接收衬底，衬底上设置有源极/漏极部件。源极/漏极部件包括第一半导体元件和第二半导体元件。氧化源极/漏极部件的第一半导体元件以在源极/漏极部件上产生第一半导体元件的氧化物以及源极/漏极部件的具有比源极/漏极部件的其余部分更大的第二半导体元件的浓度的区域。去除第一半导体元件的氧化物，并且形成电连接至源极/漏极部件的接触件。在一些这样的实施例中，第一半导体元件包括硅，并且第二半导体元件包括锗。

公开(公告)号：CN113013103A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011385858.6

申请日：2020-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱鹏维 ,  王菘豊 ,  时定康 ,  奧野泰利

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 此处公开具有双重硅化物接点结构的半导体装置结构与其制作方法。制作半导体装置的方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别形成第一外延区与第二外延区于第一鳍状结构与第二鳍状结构上；分别形成第一接点开口与第二接点开口于第一外延区与第二外延区上；选择性形成氧化物盖层于第二外延区的露出表面上；选择性形成第一金属硅化物层于第一外延区的露出表面上；移除该氧化物盖层；以及分别形成第一导电区与第二导电区于金属硅化物层上与第二外延区的露出表面上。第一金属硅化物层包括第一金属。第一导电区与第二导电区包括第二金属，且第一金属与第二金属不同。