-
公开(公告)号：CN112420614B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010851257.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成突出的半导体条带；在所述半导体条带之间形成隔离区；在所述隔离区上形成混合鳍部，所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体条带上方形成伪栅极结构；在所述半导体条带上方和所述伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区；在所述伪栅极结构下方形成纳米线，其中，所述纳米线位于相应的半导体条带上方并且与所述相应的半导体条带对齐，并且所述源极/漏极区位于所述纳米线的相对端，其中，与所述纳米线相比，所述混合鳍部从所述衬底延伸得更远；在形成所述纳米线之后，减小所述混合鳍部的中心部分的宽度，同时保持所述混合鳍部的端部的宽度不变，以及在所述纳米线周围形成导电材料。本申请另一方面提供一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN118693156A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410709353.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一纳米结构，位于衬底上方；第二纳米结构，位于衬底上方，其中，第一纳米结构通过位于第一纳米结构与第二纳米结构之间的隔离结构与第二纳米结构横向分隔开；第一栅极结构，位于每个第一纳米结构周围并且位于每个第二纳米结构周围，其中，第一栅极结构在隔离结构上方延伸；第三纳米结构，位于衬底上方；以及第二栅极结构，位于每个第三纳米结构周围，其中，第二栅极结构通过介电壁与第一栅极结构分隔开。本公开的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN115483264A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210935342.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包括有源区，在基板上方沿着第一方向延伸，其中有源区包括从源极区通过通道区延伸到漏极区的导电路径；栅极电介质，在通道区的表面上；隔离鳍片，在有源区的第一侧，其中隔离鳍片包括：第一鳍片区，相邻源极区，且具有第一鳍片宽度；第二鳍片区，相邻通道区，且具有第二鳍片宽度；以及第三鳍片区，相邻漏极区，且具有第一鳍片宽度，其中第一鳍片宽度大于第二鳍片宽度；以及栅极电极，在通道区中抵接栅极电介质。
-
公开(公告)号：CN115241186A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210358148.7
申请日：2022-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , B82Y10/00
Abstract: 本公开涉及具有电介质特征的半导体结构及其制造方法。提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底之上的纳米结构。半导体结构还包括围绕纳米结构的栅极结构和将栅极结构划分为第一部分和第二部分的第一电介质特征。半导体结构还包括形成在栅极结构之上的金属层。此外，栅极结构的第一部分的顶表面、栅极结构的第二部分的顶表面、以及第一电介质特征的顶表面被金属层覆盖。
-
公开(公告)号：CN115241128A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210301227.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：形成半导体鳍片，从基板突出；在半导体鳍片的侧壁上形成牺牲盖层；形成第一和第二介电鳍片，夹设半导体鳍片；在半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片上方形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔物；去除牺牲栅极堆叠以形成栅极沟槽，其中栅极沟槽露出半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片；从栅极沟槽去除牺牲盖层，从而露出半导体鳍片的侧壁；以及在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，金属栅极堆叠齿合半导体鳍片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309981A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010475964.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开实施例提供一种具有金属栅极的半导体结构的形成方法。半导体结构是先于半导体基板之上制造鳍片，再形成源极与漏极凹口。接着，可于源极与漏极凹口之中沉积源极与漏极区。栅极结构可沉积于鳍片之间的区域之中。栅极结构包括介电与金属层。在鳍片之间的区域中，绝缘层隔离了栅极结构以及源极与漏极区。
-
公开(公告)号：CN115566022A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210961883.7
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 集成电路装置包括基板与位于第一栅极结构及该第二栅极结构之间的鳍片隔离结构。第一栅极结构包绕位于第一鳍片上方的第一垂直纳米结构通道堆叠。第二栅极结构包绕位于第二鳍片上方的第二垂直纳米结构通道堆叠。鳍片隔离结构从第一栅极结构的上表面延伸至基板的上表面。沟槽隔离结构位于第一鳍片与鳍片隔离结构之间且具有与鳍片隔离结构不同的蚀刻选择性。
-
公开(公告)号：CN114823528A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210237062.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。通过填充混合式鳍状物与半导体鳍状物结构之间的沟槽来形成侧壁间隔物的方法，侧壁间隔物包括被栅极侧壁间隔物部分连接的二个鳍状物侧壁间隔物部分。鳍状物侧壁间隔物部分具有实质上均匀的轮廓以对垂直堆叠的通道层提供均匀的保护并消除内间隔物与侧壁间隔物之间的任何间隙与漏电流。
-
公开(公告)号：CN113644067A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110733610.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的第一主动鳍状物结构以及第二主动鳍状物结构。此半导体装置包括虚置鳍状物结构，也沿着第一横向方向延伸，其设置于第一主动鳍状物结构与第二主动鳍状物结构之间。虚置鳍状物结构包括被配置以引起耦接至第一主动鳍状物结构的端点的第一源极/漏极结构与耦接至第二主动鳍状物结构的端点的第二源极/漏极结构的机械变形的材料。
-
公开(公告)号：CN113451211A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110585420.0
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括：对半导体工件施行化学机械研磨制程，半导体工件包括纳米片区域，纳米片区域具有第一类型的半导体材料与第二类型的半导体材料的交替层。上述方法还包括：当第一类型的半导体材料被第二类型的半导体材料覆盖时，停止化学机械研磨制程；将纳米片区域图形化，以形成纳米片堆叠物；形成隔离结构而围绕纳米片堆叠物；从纳米片堆叠物移除第二类型的半导体材料的顶层；将隔离结构凹陷；以及在纳米片堆叠物的上方形成栅极结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.032 seconds)
