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公开(公告)号：CN115241128A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210301227.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：形成半导体鳍片，从基板突出；在半导体鳍片的侧壁上形成牺牲盖层；形成第一和第二介电鳍片，夹设半导体鳍片；在半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片上方形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔物；去除牺牲栅极堆叠以形成栅极沟槽，其中栅极沟槽露出半导体鳍片、牺牲盖层、第一以及第二介电鳍片；从栅极沟槽去除牺牲盖层，从而露出半导体鳍片的侧壁；以及在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，金属栅极堆叠齿合半导体鳍片。
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公开(公告)号：CN109841512A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811425883.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法。多个虚设栅极堆叠形成于半导体基材上方。层间介电层形成于这些虚设栅极堆叠上方。将位于这些虚设栅极堆叠的顶表面上方的层间介电层的第一部分移除，使得层间介电层的第二部分留在这些虚设栅极堆叠之间。以多个金属栅极堆叠取代这些虚设栅极堆叠。于层间介电层的第二部分的顶表面及金属栅极堆叠的顶表面上方施予水。施予中性NF3自由基至水中，以蚀刻层间介电层。
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公开(公告)号：CN114927472A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210237092.X
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，包括基底；第一半导体通道，在基底的上方；以及第二半导体通道，在基底的上方，与第一半导体通道横向偏离。第一栅极结构与第二栅极结构分别在第一半导体通道与第二半导体通道的上方且分别横向地在第一半导体通道的周围与第二半导体通道的周围。非活性鳍状物在第一栅极结构与第二栅极结构之间。介电部件在非活性鳍状物的上方，介电部件不含空孔且包括多层介电材料，多层介电材料经由交互沉积与蚀刻的步骤而形成。
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公开(公告)号：CN113658954A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110473778.4
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，半导体装置结构包括半导体鳍片，半导体鳍片包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、连接第一表面与第二表面的第三表面及与第三表面相对的第四表面。半导体装置结构包括邻近半导体鳍片的第一表面、第三表面及第四表面设置的栅极电极层、接触半导体鳍片的第一源极/漏极磊晶特征及设置在第一源极/漏极磊晶特征与栅极电极层之间的第一内部间隔物。第一内部间隔物接触第一源极/漏极磊晶特征，且第一内部间隔物包括第一材料。半导体装置结构包括接触第一内部间隔物的第一间隔物，且第一间隔物包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN110957260A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910894324.7
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。
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公开(公告)号：CN110648969A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910327232.0
申请日：2019-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例涉及制作集成电路结构的方法。方法包括形成栅极间隔物于半导体基板上的虚置栅极结构的多个侧壁上；对栅极间隔物进行第一布植工艺，其中第一布植工艺包括以硅原子轰击栅极间隔物的上侧部分；在进行第一布植工艺之后，对栅极间隔物的上侧部分进行第二布植工艺，其中第二布植工艺包括以碳原子轰击栅极间隔物的上侧部分；以及在进行第二布植工艺之后，将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构，其中将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构的步骤包括形成层间介电层。
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公开(公告)号：CN115566022A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210961883.7
申请日：2022-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 集成电路装置包括基板与位于第一栅极结构及该第二栅极结构之间的鳍片隔离结构。第一栅极结构包绕位于第一鳍片上方的第一垂直纳米结构通道堆叠。第二栅极结构包绕位于第二鳍片上方的第二垂直纳米结构通道堆叠。鳍片隔离结构从第一栅极结构的上表面延伸至基板的上表面。沟槽隔离结构位于第一鳍片与鳍片隔离结构之间且具有与鳍片隔离结构不同的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN114823528A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210237062.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。通过填充混合式鳍状物与半导体鳍状物结构之间的沟槽来形成侧壁间隔物的方法，侧壁间隔物包括被栅极侧壁间隔物部分连接的二个鳍状物侧壁间隔物部分。鳍状物侧壁间隔物部分具有实质上均匀的轮廓以对垂直堆叠的通道层提供均匀的保护并消除内间隔物与侧壁间隔物之间的任何间隙与漏电流。
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公开(公告)号：CN113644067A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110733610.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的第一主动鳍状物结构以及第二主动鳍状物结构。此半导体装置包括虚置鳍状物结构，也沿着第一横向方向延伸，其设置于第一主动鳍状物结构与第二主动鳍状物结构之间。虚置鳍状物结构包括被配置以引起耦接至第一主动鳍状物结构的端点的第一源极/漏极结构与耦接至第二主动鳍状物结构的端点的第二源极/漏极结构的机械变形的材料。
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公开(公告)号：CN113113296A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110198205.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置的制造方法包括于多个鳍片之上形成虚置栅极。接着，移除虚置栅极的第一部分以形成第一沟槽，第一沟槽露出第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分。半导体装置的制造方法还包括以第一介电材料填充第一沟槽，第一介电材料设置于第一混合鳍片以及第二混合鳍片的第一部分之上。接着，移除虚置栅极的第二部分以形成第二沟槽，且以金属层填充第二沟槽。半导体装置的制造方法还包括回蚀刻金属层，其中在回蚀刻金属层的步骤之后，金属层的第一顶表面定义出第一平面，第二混合鳍片的第二部分的第二顶表面定义出第二平面，且第一平面设置于第二平面下方。
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