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公开(公告)号：CN118825022A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410849215.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/82
Abstract: 集成电路包括：晶体管，包括多个堆叠沟道。第一介电壁结构定位在堆叠沟道的第一横向侧上。第二介电壁结构定位在堆叠沟道的第二横向侧上。介电主结构定位在顶部沟道之上。栅电极包括在第二介电壁结构和堆叠沟道之间垂直延伸的垂直柱。栅电极包括从堆叠沟道之间的垂直柱横向延伸的指状件部分。本申请的实施例还涉及形成集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN113054020B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202011635510.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极/漏极(S/D)区域、在该S/D区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。
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公开(公告)号：CN118280839A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410262143.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 根据本申请的一些实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成多晶硅结构，在多晶硅结构上沉积第一间隔件层，在第一间隔件层上沉积第二间隔件层，在衬底上形成S/D区，去除第二间隔件层，在第一间隔件层上和S/D区上沉积第三间隔件层，在第三间隔件层上沉积ESL，在蚀刻停止层上沉积ILD层，并且用围绕纳米结构层的栅极结构替换多晶硅结构。
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公开(公告)号：CN111092053B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201911005905.7
申请日：2019-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/768
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括在晶体管的源极/漏极区域上方形成电连接至源极/漏极区域的第一源极/漏极接触插塞，形成与栅极堆叠件重叠的第一介电硬掩模，使第一源极/漏极接触插塞凹进以形成第一凹槽，在第一凹槽中形成第二介电硬掩模，使层间介电层凹进以形成第二凹槽，以及在第二凹槽中形成第三介电硬掩模。第三介电硬掩模接触第一介电硬掩模和第二介电硬掩模。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。
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公开(公告)号：CN114975268A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210302849.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供了一种具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体装置及其制造方法。此方法包括在基板上形成鳍状结构，在鳍状结构上形成超晶格结构，在超晶格结构内形成第一及第二源极/漏极区，在第一及第二源极/漏极区之间形成栅极结构，在第一及第二源极/漏极区的第一表面上形成第一及第二接触结构，在第一源极/漏极区的第二表面上形成具有功函数金属(work function metal,WFM)硅化层和双金属衬层的第三接触结构。第二表面相反于第一源极/漏极区的第一表面，相较于第一源极/漏极区的材料的价带能量，功函数金属硅化层的功函数值更接近该材料的导带能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975258A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210276200.4
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：接收具有前表面与背表面的基底；在基底形成一第一介电材料的隔离部件，定义被隔离部件围绕的主动区；在主动区上形成栅极堆叠物；在主动区上形成第一与第二源极/漏极部件；形成前接触部件而接触第一源极/漏极部件；从背表面将基底打薄，暴露出隔离部件；选择性蚀刻主动区，造成被隔离部件围绕的沟槽，第二源极/漏极部件暴露于沟槽内；在沟槽形成与第一介电材料不同的第二介电材料的衬垫层；形成背侧导孔部件，落在沟槽内的第二源极/漏极部件上；以及形成背侧金属线，落在背侧导孔部件上。
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公开(公告)号：CN113540031A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110551892.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含凸出于半导体基板之上的鳍有源区域；设置于鳍有源区域上的栅极堆叠物，其中栅极堆叠物包含栅极电介质层以及栅极电极；形成于鳍有源区域上且栅极堆叠物插入于其间的源极/漏极(S/D)部件；以及电性连接至栅极电极以及S/D部件中的其一的导电部件。导电部件包含：第一金属的底部金属部件；于底部金属部件上方的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成不同于第一金属；围绕顶部金属部件以及底部金属部件两者的阻挡层；以及围绕顶部金属部件且使顶部金属部件与底部金属部件以及阻挡层分开的衬层。
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公开(公告)号：CN113161419A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110003654.X
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和延伸到第二源极/漏极结构的第二沟槽。导电层在沟槽中沉积和图案化以形成到第一源极/漏极结构的导电通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112750816A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010842050.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置，包括鳍部，突出于半导体基底；栅极结构位于鳍部上；第一介电层位于栅极结构上且包括第一介电材料；栅极间隔件沿着栅极结构的侧壁及沿着第一介电层的侧壁，栅极间隔件的上表面比栅极结构的上表面更远离半导体基底；蚀刻停止层沿着栅极间隔件，蚀刻停止层的上表面比栅极间隔件的上表面更靠近半导体基底；源极/漏极接触电极相邻于蚀刻停止层；第二介电层位于源极/漏极接触电极上且包括第二介电材料，其中第二介电层延伸于蚀刻停止层的上表面上；第三介电层位于第二介电层上，且包括第三介电材料，其中三介电材料具有不同于第二介电材料的组成，且其中第三介电层延伸于栅极间隔件的上表面上。
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公开(公告)号：CN110943079A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910429880.7
申请日：2019-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体元件。半导体元件包括在基板上方形成的栅极结构。间隔层在栅极结构的侧部分上形成。第一介电层在栅极结构上方形成。导电覆盖层穿过第一介电层并且在栅极结构上方形成。导电覆盖层的顶表面在间隔层的顶表面之上。半导体元件进一步包括在导电覆盖层上方形成的导电层。导电层与导电覆盖层电耦接。
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