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公开(公告)号：CN113764297B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110275812.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。
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公开(公告)号：CN119134246A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411117394.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种静电放电保护的电路及方法。电路包括基板、在基板上的靶装置、及电耦合至靶装置的静电放电(ESD)装置。ESD装置包括电耦合至第一参考电压供应及第二参考电压供应的ESD侦测电路、电耦合至ESD侦测电路并用以回应于在第一或第二参考电压供应上的ESD事件而经触发的反向器电路、电耦合至反向器电路并用以对自反向器电路放电的电流进行整流的整流器电路、及电耦合至整流器电路并用以对经由整流器电路传递的剩余电流进行放电的晶体管。
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公开(公告)号：CN114628531B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110418735.6
申请日：2021-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L31/02 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 一种半导体构造包括位于光学装置之上的第一介电层。第一金属化层位于所述第一介电层之上，且第一导电线位于所述第一金属化层中。第一导电通孔位于所述第一金属化层中且接触所述第一导电线。第二金属化层位于所述第一金属化层之上。第二导电线位于所述第二金属化层中且在第一界面处接触所述第一导电通孔。加热器位于所述光学装置之上且具有低于所述第一界面的最下表面及高于所述第一界面的最上表面。
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公开(公告)号：CN115856565A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210822013.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路包括基于一种或多种III‑V族化合物材料形成的第一电路，第一电路被配置为以第一电压范围工作。该集成电路包括同样基于一种或多种III‑V族化合物材料形成的第二电路，第二电路可操作地连接至第一电路并且被配置为以第二电压范围工作，其中，第二电压范围显著高于第一电压范围。集成电路包括连接至第一电路的一组第一测试端子。该集成电路包括连接至第二电路的一组第二测试端子。分别施加至一组第一测试端子和一组第二测试端子的测试信号彼此独立。本发明的实施例还提供了用于测试集成电路的方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114935836A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210183928.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及操作硅环形调制器的方法。半导体器件包括：第一总线波导；第一硅环，光耦合到第一总线波导；备用硅环，光耦合到第一总线波导；第一加热器和第二加热器，被配置为分别加热第一硅环和备用硅环；第一开关，其中第一开关被配置为当第一开关处于第一开关位置时将第一硅环电耦合到第一射频(RF)电路，并且被配置为当第一开关处于第二开关位置时将备用硅环电耦合到第一RF电路。
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公开(公告)号：CN114695311A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110697518.5
申请日：2021-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体元件与其制作方法，半导体元件包含：导电特征、设置于导电特征上方的介电层、以及延伸穿透介电层的接触特征。接触特征具有上部与下部。上部是以间隔层从介电层分离。下部是电性地耦接至导电特征并且与介电层接触。
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公开(公告)号：CN114624820A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110764042.2
申请日：2021-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开用于在光学通信中进行光学耦合的设备及方法。在一个实施例中，公开一种用于光学耦合的设备。所述设备包括：平面层；散射元件的阵列，布置在所述平面层中第一组同心椭圆曲线与对于旋转近似90度的第二组同心椭圆曲线交叉而成的多个相交点处，以形成二维(2D)光栅；第一锥形结构，在所述平面层中形成为将所述二维光栅的第一凸侧连接到第一波导；以及第二锥形结构，在所述平面层中形成为将所述二维光栅的第二凸侧连接到第二波导。所述散射元件中的每一者是进入所述平面层中的柱。所述柱具有形状为凹多边形的顶表面，所述凹多边形具有至少6个拐角。
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公开(公告)号：CN114114551A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110107703.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/30
Abstract: 公开了具有不同的光学连接器件构造的光学系统及其制造方法。光学系统包括：衬底；波导，设置在衬底上；光纤，光学连接至波导；以及光学连接器件，设置在光纤和波导之间。光学连接器件配置成将光纤光学连接至波导。光学连接器件包括设置在衬底上的介电层、设置在介电层内的第一水平面中的半导体渐缩结构、以及设置在介电层内的第二水平面中的多尖端介电结构。第一水平面和第二水平面彼此不同。本申请的实施例提供了光学系统及用于制造光学连接器件的方法。
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公开(公告)号：CN113764297A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110275812.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。
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