公开(公告)号：CN112420698A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010848777.9

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林经祥 ,  蔡腾群 ,  赵皇麟 ,  峰地辉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体结构，其包括一基板、多个栅极结构、一间隔物及一含金属硬掩膜层。基板上具有多个鳍片，多个栅极结构设置在多个所述鳍片上，其中多个所述栅极结构被多个导电结构所隔开，一间隔物插在每个导电结构及每个栅极结构之间，一含金属硬掩膜层覆盖多个所述栅极结构的一顶表面、该间隔物的顶表面及多个所述导电结构的侧壁部分。

公开(公告)号：CN109326510A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711268389.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 奥野泰利 ,  彭成毅 ,  方子韦 ,  张毅敏 ,  峰地辉 ,  林佑明 ,  萧孟轩

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括场效晶体管(FET)。场效晶体管包括通道区域及相邻通道区域的源极/漏极区域。场效晶体管亦包括设置在通道区域上方的栅极电极。场效晶体管为n型场效晶体管且通道区域是由Si制成。源极/漏极区域包括含有Si1-x-yM1xM2y的磊晶层，其中M1为Ge及Sn中的一者或多者，M2为P及As中的一者或多者，并且0.01≤x≤0.1。

公开(公告)号：CN110660730A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910538307.X

申请日：2019-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 莫如娜·阿比里杰斯·柯德博 ,  峰地辉

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供集成电路结构的制作方法。方法包括图案化半导体基板上的介电层，以形成沟槽并露出沟槽中的导电结构；进行离子布植工艺，将掺杂物种导入沟槽中的介电层的侧壁，以形成阻障层于介电层的侧壁上，阻障层具有致密化的结构以有效避免互相扩散，并具有改质表面特性以促进由下至上的沉积；以及进行由下至上的沉积，将金属材料填入沟槽，以形成金属插塞着陆在导电结构上。

公开(公告)号：CN110729233B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201910637638.9

申请日：2019-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙宏彰 ,  峰地辉 ,  方子韦

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了制造半导体结构的方法。该方法包括接收具有有源区域和隔离区域的衬底；在衬底上形成栅极堆叠件并且该栅极堆叠件从有源区域延伸至隔离区域；在栅极堆叠件的侧壁上形成内栅极间隔件和外栅极间隔件；在衬底上形成层间介电(ILD)层；去除隔离区域中的外栅极间隔件，从而在内栅极间隔件和ILD层之间产生气隙；并且对ILD层实施离子注入工艺，从而扩展ILD层以覆盖气隙。本发明的实施例还提供了具有气隙的半导体结构的制造方法和气隙的密封方法。

公开(公告)号：CN110957260A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910894324.7

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  詹易叡 ,  李芳苇 ,  林执中 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  峰地辉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 鳍状场效晶体管的制作方法包括：形成至少三个半导体鳍状物于基板上，其中半导体鳍状物的第一半导体鳍状物、第二半导体鳍状物、与第三半导体鳍状物的长度方向实质上彼此平行，且第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间的空间小于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间的空间；沉积第一介电层于半导体鳍状物的顶部与侧壁上，以形成沟槽于第二半导体鳍状物与第三半导体鳍状物之间，且沟槽的底部与两侧侧壁为第一介电层；以第一斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的一者；以第二斜向离子布植工艺布植离子至沟槽的两侧侧壁的另一者；沉积第二介电层至沟槽中，且第一介电层与第二介电层的材料不同；以及蚀刻第一介电层。

公开(公告)号：CN110729233A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910637638.9

申请日：2019-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙宏彰 ,  峰地辉 ,  方子韦

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了制造半导体结构的方法。该方法包括接收具有有源区域和隔离区域的衬底；在衬底上形成栅极堆叠件并且该栅极堆叠件从有源区域延伸至隔离区域；在栅极堆叠件的侧壁上形成内栅极间隔件和外栅极间隔件；在衬底上形成层间介电(ILD)层；去除隔离区域中的外栅极间隔件，从而在内栅极间隔件和ILD层之间产生气隙；并且对ILD层实施离子注入工艺，从而扩展ILD层以覆盖气隙。本发明的实施例还提供了具有气隙的半导体结构的制造方法和气隙的密封方法。

公开(公告)号：CN112713118A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011145950.5

申请日：2020-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  林志昌 ,  黄耀陞 ,  时定康 ,  林群雄 ,  峰地辉 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成垂直结构于基板之上；形成栅极结构于垂直结构的部分之上；露出垂直结构的部分的侧壁；形成间隔物于垂直结构的部分的侧壁之上；以及形成间隙于每一间隔物之中。

公开(公告)号：CN109326510B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201711268389.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 奥野泰利 ,  彭成毅 ,  方子韦 ,  张毅敏 ,  峰地辉 ,  林佑明 ,  萧孟轩

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括场效晶体管(FET)。场效晶体管包括通道区域及相邻通道区域的源极/漏极区域。场效晶体管亦包括设置在通道区域上方的栅极电极。场效晶体管为n型场效晶体管且通道区域是由Si制成。源极/漏极区域包括含有Si1‑x‑yM1xM2y的磊晶层，其中M1为Ge及Sn中的一者或多者，M2为P及As中的一者或多者，并且0.01≤x≤0.1。