-
公开(公告)号：CN119181727A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411704684.3
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。
-
公开(公告)号：CN118920836A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410270418.8
申请日：2024-03-08
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种参数整定方法、整流电路、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：在并联RC吸收电路前，获取整流二极管正常反向恢复波形所对应的振荡频率和恢复期初始电流；依据预设的结电容值和振荡频率确定杂散电感；在并联RC吸收电路时，确定整流二极管在恢复期对应的等效电路，并构建等效电路对应的等效电路模型；利用等效电路模型进行仿真，确定RC吸收电路的吸收参数和尖峰电压的关系曲线；依据关系曲线确定过电压限值处的尖峰电压所对应的等高线，进而确定RC吸收电路中的目标吸收参数；即本申请能有效保证对尖峰电压的抑制效果，同时满足电阻功率的限制要求，从而提升对吸收参数整定的准确性，进而保证器件的电学性质。
-
公开(公告)号：CN118919575A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411266038.3
申请日：2024-09-10
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/329 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种功率器件，例如包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧层部分重叠；以及钝化层，设置在场氧层上、并从外围区域朝向有源区延伸至覆盖电极层且暴露出至少部分电极层的背离半导体基底的顶表面。场氧层上设置有未贯穿场氧层的凹槽，钝化层填充入凹槽内。通过在场氧层上设置未贯穿的凹槽、并使钝化层填充入凹槽内，其可以提高钝化层在外围区域的附着力，减少器件钝化层分层的风险；再者，由于凹槽处保留了一部分场氧，这样也保留对基底表面的保护作用。
-
公开(公告)号：CN117815769A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311867530.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和半导体研磨设备；过滤装置包括箱体、缓冲机构和沉淀机构，箱体设置有箱体入口、箱体出口、缓冲腔和沉淀腔；箱体入口与缓冲腔连通，箱体出口与沉淀腔连通，且缓冲腔和沉淀腔连通；缓冲机构设置于缓冲腔内，缓冲机构用于缓冲从箱体入口进入缓冲腔的混合介质，并引导经过缓冲的混合介质进入沉淀腔；沉淀机构设置于沉淀腔内，沉淀机构用于使进入沉淀腔的混合介质中的颗粒沉淀。该过滤装置能可靠地过滤、去除介质中的颗粒物，以减少颗粒物造成水环真空泵的损坏。
-
公开(公告)号：CN117476741A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311132937.X
申请日：2023-09-04
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/04
Abstract: 本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件，包括：衬底和外延层，外延层包括缓冲层和设置在缓冲层上的第一漂移层；第一漂移层包括沿衬底到缓冲层方向叠设的多个半导体叠层，每个半导体叠层均包括一个第一单元和一个叠设在第一单元上的第二单元；第一单元包括一个第一掺杂碳化硅层，第二单元包括沿衬底到缓冲层方向上叠层设置的至少一个第二掺杂碳化硅层，同一半导体叠层中第一掺杂碳化硅层的掺杂浓度大于第二掺杂碳化硅层的掺杂浓度，多个半导体叠层中的至少一个的第二单元包括至少一个高阻层，如此，增强了半导体器件的电流扩展、降低漏电特性，提升了器件的耐压水平。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117418305A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311255203.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅晶体生长设备及生长方法，其中，提供一种碳化硅晶体生长设备，包括坩埚、气体混合装置和气化装置；其中，坩埚具有一腔室，该腔室用于放置原料和安装籽晶；气体混合装置通过第一管路与腔室连通，且第一管路上设有第一气路阀，气化装置通过第二管路与气体混合装置连通，用于放置并加热固态掺杂物；还包括第三管路，一端与气体混合装置连通，另一端用于与运载气体储存罐和/或掺杂气体储存罐连通；即本申请在碳化硅晶体生长过程中，可以通过第一气路阀控制包含掺杂气体和运载气体的混合气体传输至坩埚的腔室的速率，能有效控制掺杂气体的释放速度，提高晶体掺杂均匀性，保证了后续产品的电学性质。
-
公开(公告)号：CN117316869A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311047947.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种SiC晶体的剥离方法。该方法包括提供SiC晶体，SiC晶体在距SiC晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电解的方法使SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿改质层从SiC晶体剥离，其中电解的方法采用的是碱性电解液，第一部分为剥离后得到的第一晶片。剥离工艺简单，剥离过程中使用的设备和耗材便宜，成本较低，且可以减少剥离过程中对晶片的损伤，提高了剥离良率。
-
公开(公告)号：CN117199124A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310608916.4
申请日：2020-03-05
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件，涉及氮化物功率器件技术领域。功率器件外延结构包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。
-
公开(公告)号：CN117198864A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310917801.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/266 , H01L29/16
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括提供一半导体外延结构，半导体外延结构包括衬底以及位于衬底上的漂移层；在漂移层的表面沉积第一材料，形成屏蔽层；在屏蔽层的表面涂覆光刻胶，形成光阻层；对光阻层进行碳化处理，形成碳化光阻层；以碳化光阻层为掩膜，向漂移层注入离子；去除碳化光阻层；去除屏蔽层。碳化光阻层具有耐高温特性，具有图案化结构的碳化光阻层作为掩膜，可以实现高温加热时的离子掺杂注入；在漂移层与碳化光阻层之间设置屏蔽层，使得注入过程中在屏蔽层的散射作用下，避免沟道效应。
-
公开(公告)号：CN116750764A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310692040.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
265
records
(took 0.05 seconds)
