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公开(公告)号：CN117198864A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310917801.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/266 , H01L29/16
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括提供一半导体外延结构，半导体外延结构包括衬底以及位于衬底上的漂移层；在漂移层的表面沉积第一材料，形成屏蔽层；在屏蔽层的表面涂覆光刻胶，形成光阻层；对光阻层进行碳化处理，形成碳化光阻层；以碳化光阻层为掩膜，向漂移层注入离子；去除碳化光阻层；去除屏蔽层。碳化光阻层具有耐高温特性，具有图案化结构的碳化光阻层作为掩膜，可以实现高温加热时的离子掺杂注入；在漂移层与碳化光阻层之间设置屏蔽层，使得注入过程中在屏蔽层的散射作用下，避免沟道效应。
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