公开(公告)号：CN117488407A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311427438.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 周亮亮 ,  张洁 ,  高玉强 ,  伍艳 ,  叶磊

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置，碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉，并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上；使用加热机构将硅粉和钽粉加热，以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽，并使气态的碳化硅和气态的硅化钽穿过通孔移动至待镀层工件的表面反应生成碳化钽涂层。本发明的碳化钽涂层的制备方法不需要使用烃类和炔类物质，进而不容易在加热条件下出现燃爆危险，提高了安全性。

公开(公告)号：CN116750764A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310692040.6

申请日：2023-06-12

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 叶磊 ,  张洁 ,  高玉强

IPC: C01B32/984

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。

公开(公告)号：CN222594075U

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202421158195.8

申请日：2024-05-24

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 伍艳 ,  周亮亮 ,  叶磊 ,  王震威 ,  高玉强

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置；碳化硅单晶生长装置包括坩埚、坩埚盖和第一保温层，坩埚具有腔室，腔室包括相互连通的原料区和生长区，原料区用于盛装碳化硅原料，生长区远离原料区的一端具有开口；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚，且用于遮挡或打开开口，坩埚盖还用于设置籽晶；第一保温层设置于腔室内，且围绕在原料区的外周。该碳化硅单晶生长装置能够增大轴向的温梯，以提高晶体生长速度，并有利于生长出厚度较大的晶体。