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公开(公告)号：CN119181726B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411704683.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在有源区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，第一掺杂区和第二掺杂区形成耗尽区，以此可以增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压，且进一步设置相邻两个第二外延层中的多个第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，进一步地增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压。
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公开(公告)号：CN119181727B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411704684.3
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。
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公开(公告)号：CN118969793A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411451140.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离半导体外延片的一侧；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与源区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；第一导电层还包括电容极板层，栅极电极层和栅极总线层均与电容极板层彼此绝缘；源极焊盘与电容极板层电连接；栅极焊盘的部分与电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，介电层的厚度小于层间介质层的厚度。该半导体器件降低了串扰风险。
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公开(公告)号：CN116631868A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210132173.3
申请日：2022-02-14
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/739 , H01L29/786
Abstract: 本申请提供一种场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：第一器件结构包括衬底和设置在衬底上的外延层，先后形成第一介质层、多晶硅层和第二介质层；去除部分多晶硅层和第二介质层，在掺杂区上方界定出第一窗口，第一窗口的底部露出第一介质层；保留第一窗口侧壁的第三介质层，界定出第二窗口，第二窗口底部露出外延层；在第二窗口底部的表面形成欧姆金属层，形成第四器件结构；在第四器件结构远离衬底的表面形成正面金属层。
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公开(公告)号：CN118969793B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411451140.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离半导体外延片的一侧；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与源区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；第一导电层还包括电容极板层，栅极电极层和栅极总线层均与电容极板层彼此绝缘；源极焊盘与电容极板层电连接；栅极焊盘的部分与电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，介电层的厚度小于层间介质层的厚度。该半导体器件降低了串扰风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117727724A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311648242.7
申请日：2023-12-04
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本申请的实施例提供了一种功率半导体模块，涉及电气元件技术领域，该功率半导体模块包括基板、DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，将基板进行分区，在基板的表面设置相互隔离的DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，通过合理布置，使得布局更加紧凑。相较于现有技术，本申请提供的功率半导体模块，能够合理地布置DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，互不干涉，便于连线的同时，正负极干涉小，降低了短路风险。并且，AC衬板可以是一整块覆铜区域，从基板的第一区域延伸至第二区域不间断，避免分体带来的键合结构，进一步简化了接线端子布局，并降低了制作工艺难度。
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公开(公告)号：CN114122127B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011328758.X
申请日：2020-11-24
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，减小2DEG浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2DEG浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2DEG浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。制备压应力介质层或张应力介质层时，先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。
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公开(公告)号：CN113451127B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110718653.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/56 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：器件结构包括宽带隙衬底和形成于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层，其中，宽带隙漂移层包括有源区和形成于有源区外围的终端区；在宽带隙漂移层上形成覆盖有源区和终端区的场氧层；在场氧层上形成覆盖有源区和终端区的第一钝化层；刻蚀第一钝化层和场氧层，形成露出有源区的电极设置窗口；通过电极设置窗口形成金属层，金属层在沿宽带隙衬底向宽带隙漂移层的方向高于第一钝化层，金属层与有源区之间为肖特基接触。如此，在进行可靠性测试时，第一钝化层不会因为金属层形变发生开裂，从而增强了功率器件防水汽侵蚀的能力，提高了功率器件在高温高湿环境中长期工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN119181727A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411704684.3
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。
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公开(公告)号：CN113707710B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110865617.X
申请日：2021-07-29
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。
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