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公开(公告)号：CN115763234A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211494377.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/265 , C30B25/18 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B29/36 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及离子注入改质处理衬底面型的方法及改善面型的衬底；本发明的方法包括：在衬底的设定面注入离子，并形成损伤层，损伤层为中心对称图形；退火处理。本发明的方法能够改善衬底面型，进而提高外延良率。
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公开(公告)号：CN115763221A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211393545.4
申请日：2022-11-08
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件，复合衬底的制备方法包括：获取衬底；对衬底进行离子注入，将衬底分隔成第一衬底层、第二衬底层和有离子注入的掺杂层，掺杂层设于第一衬底层与第二衬底层之间，第一衬底层的厚度小于第二衬底层的厚度；在第一衬底层远离第二衬底层的表面涂覆金刚石种晶溶液并退火形成种晶层；在种晶层表面沉积金刚石层；剥离第二衬底层。通过上述设置，在制备过程中金刚石与第一衬底层直接结合，金刚石与第一衬底层之间无需过渡层或键合层，降低了制备成本，缩短了制备周期；另外，由于金刚石与第一衬底层直接结合，热导率损失低，制备得到的复合衬底具有更高的热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316869A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311047947.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种SiC晶体的剥离方法。该方法包括提供SiC晶体，SiC晶体在距SiC晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电解的方法使SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿改质层从SiC晶体剥离，其中电解的方法采用的是碱性电解液，第一部分为剥离后得到的第一晶片。剥离工艺简单，剥离过程中使用的设备和耗材便宜，成本较低，且可以减少剥离过程中对晶片的损伤，提高了剥离良率。
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公开(公告)号：CN114989880B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210796801.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Inventor： 江文宇
IPC: C10M169/04 , C10M177/00 , C10N30/04 , C10N30/06
Abstract: 本申请公开了一种切割液及其制备方法，涉及半导体领域。本申请实施例提供的切割液包括液态材料以及分散于液态材料中的磨料颗粒和二维层状材料，利用二维层状材料的结构特点和在液相中优秀的分散性和稳定性来提高磨料颗粒在切割液中的悬浮性与稳定性，使得切割液有着较佳的切割效果，并且重复利用率高，有利于降低成本。本申请提供的制备方法用于制备上述的切割液。
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公开(公告)号：CN114989880A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210796801.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Inventor： 江文宇
IPC: C10M169/04 , C10M177/00 , C10N30/04 , C10N30/06
Abstract: 本申请公开了一种切割液及其制备方法，涉及半导体领域。本申请实施例提供的切割液包括液态材料以及分散于液态材料中的磨料颗粒和二维层状材料，利用二维层状材料的结构特点和在液相中优秀的分散性和稳定性来提高磨料颗粒在切割液中的悬浮性与稳定性，使得切割液有着较佳的切割效果，并且重复利用率高，有利于降低成本。本申请提供的制备方法用于制备上述的切割液。
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公开(公告)号：CN117305977A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311049299.5
申请日：2023-08-18
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅籽晶及其制备方法、碳化硅晶体生长方法，其中碳化硅籽晶包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为多孔结构。通过将碳化硅籽晶的第一表面设有多孔结构，多孔结构能够作为缓冲层吸收碳化硅籽晶与坩埚盖之间因热膨胀系数而导致的应力，降低晶体开裂风险，从而提高晶体生长的良率，降低了晶体生长成本。
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公开(公告)号：CN116053118A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211586947.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种SiC衬底的键合方法，包括：在经过等离子体活化处理的第一衬底的键合面添加超临界二氧化碳；将经过等离子体活化处理的第二衬底的键合面与所述第一衬底的键合面预键合。通过超临界二氧化碳辅助预键合，将空气挤出减少预键合过程中产生空泡，同时利用超临界二氧化碳的溶解能力减少微小粒子的残留，从而增加SiC衬底键合强度和有效键合面积。
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