公开(公告)号：CN117199124A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310608916.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  刘成 ,  赵杰 ,  林育赐 ,  郭德霄 ,  徐宁 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件，涉及氮化物功率器件技术领域。功率器件外延结构包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。

公开(公告)号：CN113903798B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202111160681.4

申请日：2021-09-30

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  林志东 ,  林育赐 ,  刘成 ,  徐宁 ,  房育涛 ,  叶念慈

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 一种氮化镓双向开关器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和间隔设于有源区内势垒层上的第一电极和第二电极；还包括在第一电极和第二电极之间且间隔的两栅极、位于势垒层上且将第一电极、第二电极、两栅极隔离的第一级场板介质层；第一级场板介质层在有源区之外且自远离衬底的一面设有第一凹槽，第一凹槽自第一级场板介质层延伸至衬底内，氮化镓双向开关器件还包括通过第一互连金属连接的两第一级场板金属，部分第一互连金属填充于第一凹槽内，且第一凹槽内的第一互连金属与第一凹槽的侧壁之间设有第一绝缘层。该器件能够降低器件的体积，提高器件耐压。

公开(公告)号：CN112332824B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202011264799.7

申请日：2020-11-12

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 叶念慈 ,  刘洋 ,  刘成 ,  何俊蕾 ,  许亚坡 ,  洪燕东

IPC: H03K17/687

Abstract: 本申请提供一种具有缓冲结构的驱动电路以及集成电路，包括缓冲结构、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一反相器和第二反相器，其中，第一反相器的输出端通过第二反相器后连接至第一晶体管，第一反相器的输出端连接至第二晶体管，第一反相器的输出端通过缓冲结构后连接至第三晶体管。如此，在原有电路基础上加入了第三晶体管和缓冲结构，利用缓冲结构提供延时，以缓解原有电路中第一晶体管和第二晶体管之间存在的延时，以避免在输入信号电平变化时，存在的第一晶体管、第二晶体管同时导通的问题。

公开(公告)号：CN116913954A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310829685.X

申请日：2021-09-30

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  林志东 ,  林育赐 ,  刘成 ,  徐宁 ,  房育涛 ,  叶念慈

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 一种氮化镓双向开关器件，包括基底，包括有源区和终端区；基底包括：衬底、外延层；外延层包括叠设的第一半导体叠层和第二半导体层，两者之间具有二维电子气；第一电极和第二电极，间隔设置在第二半导体层的表面上；两个栅极，间隔设置在第一电极和第二电极之间；第一级场板介质层，设置在第二半导体层上；两个第一级场板金属，设置在场板介质层上，间隔设置于两个栅极之间，两个第一场板金属中，靠近一个栅极的一个第一级场板金属到对应的栅极的距离与靠近另一个栅极的另一第一级场板金属到对应的栅极的距离相等；两个第一级场板金属沿栅极的延伸方向从有源区延伸至终端区，并在终端区通过第一互连金属进行连接。该器件能够提高器件耐压。

公开(公告)号：CN113851522B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202111001242.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  林科闯 ,  刘成 ,  林育赐 ,  叶念慈 ,  徐宁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓增强型器件及其制备方法，衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、过渡层和P‑GaN栅为自下而上依次层叠，栅极设置在P‑GaN栅上，源极和漏极形成于AlGaN势垒层上，过渡层位于源极和漏极之间，过渡层的Mg掺杂浓度小于P‑GaN栅的Mg掺杂浓度；过渡层具有被P‑GaN栅覆盖的第一区域和未被P‑GaN栅覆盖的第二区域，第一区域的空穴浓度大于第二区域的空穴浓度；P‑GaN栅具有自下而上依次层叠的第一P型层和第二P型层，第一P型层的空穴浓度大于或等于第二P型层的空穴浓度。本发明避免在外延生长中Mg扩散及刻蚀P‑GaN栅的损伤，实现低导通电阻、高可靠性的GaN增强型功率器件。

公开(公告)号：CN111326577B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202010149236.7

申请日：2020-03-05

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  刘成 ,  赵杰 ,  林育赐 ,  郭德霄 ,  徐宁 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构，属于氮化物功率器件技术领域。半导体外延结构包括：衬底及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物层、刻蚀终止层以及牺牲层，其中，刻蚀终止层为铝镓氮化合物材料。功率器件外延结构的制备方法包括：制作半导体外延结构；对半导体外延结构进行高温退火；刻蚀牺牲层，以形成表面平整的功率器件外延结构。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。