公开(公告)号：CN117198864A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310917801.3

申请日：2023-07-25

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈为彬 ,  王勇 ,  陈毅志 ,  李秉隆

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/16

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括提供一半导体外延结构，半导体外延结构包括衬底以及位于衬底上的漂移层；在漂移层的表面沉积第一材料，形成屏蔽层；在屏蔽层的表面涂覆光刻胶，形成光阻层；对光阻层进行碳化处理，形成碳化光阻层；以碳化光阻层为掩膜，向漂移层注入离子；去除碳化光阻层；去除屏蔽层。碳化光阻层具有耐高温特性，具有图案化结构的碳化光阻层作为掩膜，可以实现高温加热时的离子掺杂注入；在漂移层与碳化光阻层之间设置屏蔽层，使得注入过程中在屏蔽层的散射作用下，避免沟道效应。

公开(公告)号：CN113707710B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202110865617.X

申请日：2021-07-29

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 胡洪兴 ,  蔡文必 ,  郭飞 ,  郭锦鹏 ,  周永田 ,  王勇 ,  陶永洪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN113451127B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110718653.3

申请日：2021-06-28

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 郭飞 ,  蔡文必 ,  郭锦鹏 ,  陶永洪 ,  王勇 ,  周永田 ,  胡洪兴

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/56 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请提供一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：器件结构包括宽带隙衬底和形成于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层，其中，宽带隙漂移层包括有源区和形成于有源区外围的终端区；在宽带隙漂移层上形成覆盖有源区和终端区的场氧层；在场氧层上形成覆盖有源区和终端区的第一钝化层；刻蚀第一钝化层和场氧层，形成露出有源区的电极设置窗口；通过电极设置窗口形成金属层，金属层在沿宽带隙衬底向宽带隙漂移层的方向高于第一钝化层，金属层与有源区之间为肖特基接触。如此，在进行可靠性测试时，第一钝化层不会因为金属层形变发生开裂，从而增强了功率器件防水汽侵蚀的能力，提高了功率器件在高温高湿环境中长期工作的可靠性。

公开(公告)号：CN221379345U

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202323044720.1

申请日：2023-11-10

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 李聪 ,  王勇 ,  李秉隆 ,  张文平

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体器件及肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底；外延层，设置在衬底上；金属电极层，设置在外延层上，金属电极层包括背离外延层的第一表面，与外延层相接的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁；第一钝化层，与金属电极层的侧壁相接，且延伸覆盖至金属电极层的第一表面；与金属电极层的侧壁相接的第一钝化层的厚度大于位于金属电极层的第一表面上的第一钝化层的厚度。该结构可以改善在封装时由于塑封料收缩形变或者封装后温度循环测试时的热胀冷缩使得钝化层开裂的问题。

公开(公告)号：CN220907627U

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202322242393.4

申请日：2023-08-18

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 吴天亮 ,  张文平 ,  李秉隆 ,  王勇

IPC: C23C14/54 ,  C23C16/52

Abstract: 一种用于气相沉淀中的真空控制系统，包括：真空泵，反应腔，反应腔与真空泵之间设置有气体管道；设置在所述气体管道上的真空阀；电磁阀，其与真空阀之间设置有第一CDA气管通道以及第二CDA气管通道；电路开关器件和开关控制电路，开关控制电路被配置为基于任一相电缆中的电流信号指示真空泵停机时驱动电路开关器件断开，以控制CDA气体从第一CDA气管通道进入真空阀而关闭真空阀，和/或，开关控制电路被配置为基于任一相电缆中的电流信号指示真空泵运行时驱动电路开关器件闭合，以控制CDA气体从第二CDA气管通道进入真空阀而开启真空阀。通过本实用新型的技术方案，可以减少真空泵停机导致气流倒灌污染反应腔的情况的发生。

公开(公告)号：CN221797651U

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202323229833.9

申请日：2023-11-28

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 吴天亮 ,  张文平 ,  李秉隆 ,  王勇

IPC: C23C14/54

Abstract: 本实用新型公开了一种用于物理气相沉积中的真空控制系统，包括：反应腔；冷泵，用于对反应腔进行抽高真空处理；真空阀，真空阀连接有第一压缩干燥空气CDA气管通道以及第二CDA气管通道，其中CDA气体从第一CDA气管通道或第二CDA气管通道进入真空阀以使真空阀关闭或开启；以及通道控制电路，其连接于反应腔和第二CDA气管通道之间，通道控制电路配置为基于反应腔内的气体压力控制第二CDA气管通道处于导通或者截流状态。通过本实用新型的技术方案，可以有效降低冷泵的损坏概率，延长冷泵的使用寿命，有利于维持整个生产工艺的正常运转以及确保生产效益。