公开(公告)号：CN118280836A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410234357.X

申请日：2024-02-29

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 刘君梦 ,  叶念慈 ,  刘成 ,  王哲力 ,  梁玉玉

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件；该制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中的第二半导体层的上表面形成间隔设置的盖帽层、源极和漏极；在第二半导体层的上表面形成第一介质层；在第一介质层的上表面形成第二介质层，其中，第二介质层的材料包括水氧基氧化铝；在第二介质层对应盖帽层的区域形成贯穿第二介质层的第一开口；在第一开口内形成第三介质层，其中，第三介质层的材料包括臭氧基氧化铝。具体的，通过在第一开口内形成第三介质层，利用第三介质层的强氧化作用，能够使后续刻蚀将盖帽层表面的第一介质层刻蚀干净，以此在后续工艺形成栅极时，能够增加栅极漏电，减小阈值电压，提高器件性能。

公开(公告)号：CN116417513A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310280618.7

申请日：2023-03-21

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈东坡 ,  廖楚剑 ,  叶念慈 ,  刘成

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/29 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法、钝化层。高电子迁移率晶体管组件包括衬底、外延层和钝化层。外延层设置在衬底的表面，外延层至少包括沿远离衬底方向层叠的两层异质结构。钝化层设置在外延层远离衬底的一侧。其中，钝化层的材料为AlON。钝化层中的N元素浓度沿远离衬底的方向降低。制备方法包括如下步骤：提供一衬底；在衬底的表面设置外延层；在外延层远离衬底的一侧设置钝化层，钝化层的材料为AlON，钝化层中的N元素浓度沿远离衬底的方向降低。通过上述方式，本申请提供的高电子迁移率晶体管降低了界面态缺陷，改善高电子迁移率晶体管电流崩塌现象，避免高频工作失效情况，并提高了高电子迁移率晶体管的稳定性。

公开(公告)号：CN116247097A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310228741.4

申请日：2023-03-06

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈东坡 ,  严丹妮 ,  徐涵 ,  张辉 ,  刘成 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括第一半导体结构、第二半导体结构和导电石墨烯层。第一半导体结构位于栅极金属靠近衬底的一侧并与栅极金属连接。第二半导体结构位于漏极金属与第二半导体层之间并与漏极金属连接。导电石墨烯层设置于栅极金属与第一半导体结构之间且与栅极金属相对设置，和/或设置于第二半导体结构和第二半导体层之间且与第二半导体结构相对设置。通过设置导电石墨烯层，可抑制第一半导体结构的活性镁离子扩散至栅极金属，从而降低栅极金属的漏电，提升栅极金属的稳定性；或者抑制第二半导体结构的活性镁离子扩散至第二半导体层，从而提高漏极金属的正向导通和反向截断特性。

公开(公告)号：CN115754654A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211438243.4

申请日：2022-11-16

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 许亚坡 ,  洪燕东 ,  刘成 ,  叶念慈 ,  张建山

IPC: G01R31/26 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种功率器件驱动电路、半导体器件测试电路及系统。其中功率器件驱动电路包括：信号源，用于产生初始驱动信号；以及缓冲电路，用于接收初始驱动信号，且基于待测功率器件的测试工况，对初始驱动信号进行延时处理并输出经延时处理的栅极驱动信号，其中，栅极驱动信号用于控制待测功率器件在待测功率器件漏源极电压振荡到谷底时开通。通过本发明的方案，可对待测功率器件的驱动信号进行延时调整，使得待测功率器件能够在该待测功率器件漏源极电压振荡到谷底时开通，以满足对功率器件的应用需求。

公开(公告)号：CN118800794A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410873965.5

申请日：2024-07-01

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 付杰 ,  叶念慈 ,  刘成 ,  刘昊 ,  张辉 ,  袁艳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，涉及功率器件技术领域，该功率器件包括衬底、半导体复合层、钝化层、源极、漏极、栅极、半导体块和多个半导体岛，半导体复合层和钝化层依次设置在衬底上；源极和漏极与半导体复合层形成欧姆接触；栅极设置在钝化层上；半导体块沿栅漏方向布置在钝化层上；多个半导体岛沿半导体块的延伸方向依次间隔排列在钝化层上，且多个半导体岛的厚度或分布密度沿靠近漏极的方向逐渐减小，可以优化电场分布，减少被击穿的风险，提升耐压特性。并且，半导体岛的间隔分布降低了漂移区的被耗尽比例，不仅保证器件导通电阻不会明显恶化，还可以减少寄生电容，使得器件的动态特性更好。

公开(公告)号：CN118039645A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311854032.3

申请日：2023-12-28

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 姬圣南 ,  叶念慈 ,  刘成 ,  徐涵 ,  王哲力 ,  梁玉玉

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/822 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开涉及一种集成器件及其制备方法，该集成器件包括：衬底；设置在衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；第一器件，包括第一电极、以及位于第一电极两侧的第二电极；第二器件，包括栅电极、以及位于栅电极两侧的源电极和漏电极；第一电极和所述栅电极间隔设置于化合物半导体复合结构上；N型氮化物层，氮化物层包括第一N型氮化物层，第一氮化物层设置在化合物半导体复合结构与第一电极之间；P型氮化物层，设置在化合物半导体复合结构与栅电极之间。该集成器件可以提升器件性能，降低阈值电压，降低器件开启功耗。

公开(公告)号：CN116581123A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310346971.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 张辉 ,  付杰 ,  严丹妮 ,  刘成 ,  叶念慈

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体器件及芯片，其中，该氮化镓半导体器件包括：半导体基材、多层半导体层、源极、栅极结构、漏极以及金属阳极；其中，多层半导体层设置在半导体基材上，且半导体层远离半导体基材的表面开设有至少一沟槽结构；源极、栅极结构和漏极彼此间隔的设置在半导体层表面，栅极结构设置在源极和漏极之间；金属阳极设置在栅极结构和漏极之间；沟槽结构设置在栅极结构和漏极之间，且金属阳极设置在至少一沟槽结构靠近栅极结构的一侧，金属阳极通过半导体层分别与源极、漏极接触，以形成反向续流二极管；本申请在氮化镓半导体器件上形成反向续流二极管，能有效提升器件耐压，同时减小器件的泄露电流，提升氮化镓半导体器件性能。

公开(公告)号：CN116387312A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310342327.6

申请日：2023-03-31

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 张辉 ,  付杰 ,  严丹妮 ,  刘成 ,  叶念慈

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种GaN HEMT器件，包括沿第一方向层叠设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，势垒层远离GaN沟道层的表面设有相互间隔的源极、栅极结构和漏极；还包括反向续流二极管，设于势垒层远离GaN沟道层的表面且位于栅极结构与漏极之间，包括金属阳极和多个第一P‑GaN结构，每个第一P‑GaN结构至少部分位于金属阳极靠近漏极的一侧，多个第一P‑GaN结构与金属阳极接触设置且呈梳齿状排列。第一P‑GaN结构设置于势垒层远离GaN沟道层的表面，多个第一P‑GaN结构在第二方向上相互平行且间隔设置，金属阳极与势垒层形成肖特基接触，与第一P‑GaN结构形成欧姆接触。通过上述设置，解决了现有技术中集成肖特基二极管反向泄漏电流大、耐压能力差的问题。

公开(公告)号：CN116153994A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310127083.X

申请日：2023-02-16

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈东坡 ,  秦梓伦 ,  刘成 ,  叶念慈 ,  刘昊 ,  徐宁 ,  徐涵

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请公开一种复合钝化的GaN基HEMT器件及其制作方法，包括基层、势垒层、钝化层。盖帽设置在势垒层上；钝化层设置在势垒层上，钝化层包括第一钝化部与第二钝化部，第一钝化部设置在势垒层表面且延伸覆盖盖帽，第二钝化部覆盖于势垒层除盖帽和第一钝化部在势垒层表面的覆盖区域之外的区域上，第一钝化部的缺陷能级大于第二钝化部的缺陷能级；栅极设置于钝化层背向势垒层的一面，且栅极贯穿钝化层与盖帽连接。上述结构较大缺陷能级的第一钝化部覆盖盖帽，防止空穴积累在盖帽表面造成阈值电压负漂，较小缺陷能级的第二钝化部覆盖其他区域上，用于提供电子，避免势垒层表面除盖帽的区域捕获其他区域的电子形成的电流崩塌效应与阈值电压正漂的问题。

公开(公告)号：CN117199124A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310608916.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  刘成 ,  赵杰 ,  林育赐 ,  郭德霄 ,  徐宁 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件，涉及氮化物功率器件技术领域。功率器件外延结构包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。