公开(公告)号：CN118919574A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411266029.4

申请日：2024-09-10

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 李万 ,  黄维 ,  童薇 ,  曹浪波 ,  彭志高

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例提供一种功率器件，例如包括：半导体基底、接触金属层、正面金属层、钝化层和保护层。半导体基底具有有源区和围绕有源区的外围区域。接触金属层设置在有源区上以与半导体基底形成电接触、并从有源区朝向外围区域延伸。正面金属层设置在接触金属层背离半导体基底的一侧、并从有源区朝向外围区域延伸，且正面金属层的端面相对于接触金属层的端面内缩。钝化层设置在半导体基底上，覆盖接触金属层及正面金属层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。保护层设置在半导体基底上，覆盖钝化层、且暴露出至少部分正面金属层的表面。本发明实施例通过设计接触金属层的端面和正面金属层的端面的相对位置关系，可以提升器件的H3TRB可靠性能力。

公开(公告)号：CN118919575A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411266038.3

申请日：2024-09-10

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 李万 ,  黄维 ,  童薇 ,  曹浪波 ,  彭志高

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种功率器件，例如包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧层部分重叠；以及钝化层，设置在场氧层上、并从外围区域朝向有源区延伸至覆盖电极层且暴露出至少部分电极层的背离半导体基底的顶表面。场氧层上设置有未贯穿场氧层的凹槽，钝化层填充入凹槽内。通过在场氧层上设置未贯穿的凹槽、并使钝化层填充入凹槽内，其可以提高钝化层在外围区域的附着力，减少器件钝化层分层的风险；再者，由于凹槽处保留了一部分场氧，这样也保留对基底表面的保护作用。