公开(公告)号：CN117476741A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311132937.X

申请日：2023-09-04

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 杜伟华 ,  张洁 ,  曾为 ,  肖旭凌 ,  李毕庆 ,  江协龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L21/04

Abstract: 本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件，包括：衬底和外延层，外延层包括缓冲层和设置在缓冲层上的第一漂移层；第一漂移层包括沿衬底到缓冲层方向叠设的多个半导体叠层，每个半导体叠层均包括一个第一单元和一个叠设在第一单元上的第二单元；第一单元包括一个第一掺杂碳化硅层，第二单元包括沿衬底到缓冲层方向上叠层设置的至少一个第二掺杂碳化硅层，同一半导体叠层中第一掺杂碳化硅层的掺杂浓度大于第二掺杂碳化硅层的掺杂浓度，多个半导体叠层中的至少一个的第二单元包括至少一个高阻层，如此，增强了半导体器件的电流扩展、降低漏电特性，提升了器件的耐压水平。