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公开(公告)号：CN118969793B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411451140.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离半导体外延片的一侧；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与源区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；第一导电层还包括电容极板层，栅极电极层和栅极总线层均与电容极板层彼此绝缘；源极焊盘与电容极板层电连接；栅极焊盘的部分与电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，介电层的厚度小于层间介质层的厚度。该半导体器件降低了串扰风险。
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公开(公告)号：CN118737819A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410692038.3
申请日：2024-05-30
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的半导体器件的制备方法及其半导体器件，包括：提供一碳化硅外延片；在碳化硅外延片的表面形成欧姆接触金属层；其中，欧姆接触金属层包括欧姆接触层、金属缓冲层以及金属导电层，欧姆接触层设置于碳化硅外延片上，金属缓冲层设置于欧姆接触层上，金属导电层设置于金属缓冲层上，且金属缓冲层位于欧姆接触层和金属导电层之间；欧姆接触层的材料包括金属硅化物，金属导电层包括由还原性非金属元素与金属构成的化合物。具体的，具有还原性非金属元素的金属化合物导电层具有优良的导电性，从而可克服欧姆接触金属层与金属连线相结合时导电性差的问题。
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公开(公告)号：CN117727724A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311648242.7
申请日：2023-12-04
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/498
Abstract: 本申请的实施例提供了一种功率半导体模块，涉及电气元件技术领域，该功率半导体模块包括基板、DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，将基板进行分区，在基板的表面设置相互隔离的DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，通过合理布置，使得布局更加紧凑。相较于现有技术，本申请提供的功率半导体模块，能够合理地布置DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，互不干涉，便于连线的同时，正负极干涉小，降低了短路风险。并且，AC衬板可以是一整块覆铜区域，从基板的第一区域延伸至第二区域不间断，避免分体带来的键合结构，进一步简化了接线端子布局，并降低了制作工艺难度。
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公开(公告)号：CN113035955B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110215037.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/336
Abstract: 一种集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件的P阱区和P+区相邻，N+区位于P阱区内，P+区与N+区相邻；欧姆接触金属位于肖特基接触金属与栅氧化层之间，栅氧化层上形成有多晶硅栅电极，多晶硅栅电极和栅氧化层的外周包覆有层间介质；层间介质、欧姆接触金属和肖特基接触金属上方覆盖有源极；栅氧化层覆盖P阱区表面，且其两侧分别覆盖N+区和N‑外延层内的JFET区的部分表面，欧姆接触金属覆盖P+区和N+区的部分表面，肖特基接触金属位于远离N+区的P+区一侧。该集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，能够减小栅极电容，提高击穿电压，进而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN119181726B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411704683.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在有源区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，第一掺杂区和第二掺杂区形成耗尽区，以此可以增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压，且进一步设置相邻两个第二外延层中的多个第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，进一步地增加器件在反偏时半导体外延片承受的耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181727B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411704684.3
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。
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公开(公告)号：CN118461149B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410914502.9
申请日：2024-07-09
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底生长碳化硅晶体，生长的单个碳化硅晶体上能具有多个测试浓斑区，且各个测试浓斑区是否出现多型现象为相互独立的事件，统计出现多型现象的浓斑区的占比即可得到长晶工艺的多型率。上述测试不需要多炉次进行碳化硅晶体的生长，测试快速方便，且相较于多炉次生长来得到多型现象的数据，该方式避免了多炉次之间物料、人工作业、晶体长速等带来的差异，多型率数据更加可靠。
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公开(公告)号：CN118974936A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202480001560.0
申请日：2024-06-06
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/16
Abstract: 本申请提供的半导体器件，包括半导体外延片、若干半导体元胞和栅极总线，半导体外延片包括有源区和围绕有源区外的边缘终端区；若干半导体元胞设置在有源区，且半导体元胞从有源区延伸至有源区的边缘；栅极总线设置在边缘终端区上，且栅极总线围绕有源区，并与每个半导体元胞中的栅极结构的端部相连。具体的，通过将栅极总线设置在边缘终端区上，与每个栅极结构的端部相连，从节省了有源区的面积，使得半导体器件中除了边缘终端区外基本都是有源区，进而能够提高器件的出流能力，以及减少导通电阻，且不影响器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118969793A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411451140.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离半导体外延片的一侧；第二导电层包括源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘至少设于有源区且与源区电连接；栅极焊盘至少设置于边缘终端区且与栅极总线层电连接；第一导电层还包括电容极板层，栅极电极层和栅极总线层均与电容极板层彼此绝缘；源极焊盘与电容极板层电连接；栅极焊盘的部分与电容极板层的部分层叠设置且被介电层隔离，介电层的厚度小于层间介质层的厚度。该半导体器件降低了串扰风险。
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公开(公告)号：CN118870771A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411365782.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本申请涉及电动汽车技术领域，尤其涉及一种功率模块冷却装置及驱动控制设备，功率模块冷却装置包括散热板，其散热面上设有散热针翅；包括冷却液流道和隔板的流道组件，冷却液流道的相对两侧分别设有进液口和出液口，隔板设置于冷却液流道内以将冷却液流道分为第一子流道和第二子流道，第一子流道与进液口相连通，第二子流道与出液口相连通，且隔板上设有连通第一子流道和第二子流道的射流孔；第二子流道的远离第一子流道的一侧具有开口，散热板安装于开口处，且其散热面朝向隔板设置，散热针翅插设于射流孔中，且射流孔的孔径大于散热针翅的外径。解决现有技术的散热方式的换热效率和散热效果有待突破及提高的技术问题。
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