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公开(公告)号：CN118461149A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410914502.9
申请日：2024-07-09
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底生长碳化硅晶体，生长的单个碳化硅晶体上能具有多个测试浓斑区，且各个测试浓斑区是否出现多型现象为相互独立的事件，统计出现多型现象的浓斑区的占比即可得到长晶工艺的多型率。上述测试不需要多炉次进行碳化硅晶体的生长，测试快速方便，且相较于多炉次生长来得到多型现象的数据，该方式避免了多炉次之间物料、人工作业、晶体长速等带来的差异，多型率数据更加可靠。
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公开(公告)号：CN116750764A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310692040.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。
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公开(公告)号：CN117385449A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311450448.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置，包括外坩埚、支撑体、内坩埚和多个移动部件，在实际长晶时，随着长晶过程的进行，在高温和原料产生的气体的共同作用下，支撑体会发生改性而软化，此时内坩埚在自身重力的作用下会下压改性后的支撑体，并压缩支撑体，第二部件被配置为可随着内坩埚下降而带动对应的第一部件向外坩埚的底部下降且向内坩埚的中心靠拢，从而挤压疏松的原料并缩小原料的尺寸，从而挤压疏松的原料并缩小容纳腔的尺寸，一方面能够降低原料塌陷的几率，另一方面使得细小的碳颗粒在随气氛上升至晶体前与其他碳结构压实，从而大幅减小碳颗粒进入晶体中形成碳包裹。
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公开(公告)号：CN118461149B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410914502.9
申请日：2024-07-09
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底生长碳化硅晶体，生长的单个碳化硅晶体上能具有多个测试浓斑区，且各个测试浓斑区是否出现多型现象为相互独立的事件，统计出现多型现象的浓斑区的占比即可得到长晶工艺的多型率。上述测试不需要多炉次进行碳化硅晶体的生长，测试快速方便，且相较于多炉次生长来得到多型现象的数据，该方式避免了多炉次之间物料、人工作业、晶体长速等带来的差异，多型率数据更加可靠。
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公开(公告)号：CN118272916A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410319216.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种晶体生长装置。晶体生长装置包括第一腔室、第二腔室以及挡流组件，第一腔室用于设置籽晶及晶体生长；第二腔室用于容纳晶体生长原料，第二腔室具有相对设置的第一端和第二端，第二腔室的第一端与第一腔室连通；挡流组件包括设置在第二腔室内且位于第二腔室的第一端的多个挡流板；多个挡流板沿第二端至第一端的第一方向依次分布，任意相邻的两个挡流板相对且间隔设置，挡流板上设有沿第一方向贯穿挡流板的开口，任意相邻的两个挡流板上的开口错位分布。具体的，通过设置上述挡流组件，多个挡流板构成迷宫一样的复杂气路通道，增加生长气氛通过的时间以充分混合气体，同时可以阻挡晶体生长原料碳化后形成的碳颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118048689A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410382866.7
申请日：2024-03-29
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚和保温机构，该坩埚具有一腔室，腔室被配置为具有相互连通的晶体生长区和原料堆放区，原料堆放区位于晶体生长区和坩埚的底壁之间；保温机构套设于坩埚的外部，且沿坩埚的周向围绕晶体生长区设置，保温机构可向靠近坩埚的底壁的方向移动。该生长装置和方法能够进行轴向和径向的温度梯度调控，进而提高碳化硅晶体质量，降低单晶内应力，还能为大直径单晶生长创造条件。
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公开(公告)号：CN117488407A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311427438.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置，碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉，并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上；使用加热机构将硅粉和钽粉加热，以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽，并使气态的碳化硅和气态的硅化钽穿过通孔移动至待镀层工件的表面反应生成碳化钽涂层。本发明的碳化钽涂层的制备方法不需要使用烃类和炔类物质，进而不容易在加热条件下出现燃爆危险，提高了安全性。
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公开(公告)号：CN117448945A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311439483.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚；提拉装置，沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部；以及生长模具，包括变径段，所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段，所述第一缩径段和第一扩径段均为筒状结构且均沿所述坩埚的轴线方向延伸，所述第一缩径段具有靠近所述坩埚的顶壁的第一端和远离所述顶壁的第二端，所述第一缩径段的内径由所述第一端向所述第二端减小，所述第一扩径段具有靠近所述顶壁的第三端和远离所述顶壁的第四端，所述第一扩径段的内径由所述第三端向所述第四端增大。本发明实施例的晶体生长装置能够在维持晶体尺寸的同时减少晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN222594075U
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202421158195.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置；碳化硅单晶生长装置包括坩埚、坩埚盖和第一保温层，坩埚具有腔室，腔室包括相互连通的原料区和生长区，原料区用于盛装碳化硅原料，生长区远离原料区的一端具有开口；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚，且用于遮挡或打开开口，坩埚盖还用于设置籽晶；第一保温层设置于腔室内，且围绕在原料区的外周。该碳化硅单晶生长装置能够增大轴向的温梯，以提高晶体生长速度，并有利于生长出厚度较大的晶体。
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