公开(公告)号：CN117199124A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310608916.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  刘成 ,  赵杰 ,  林育赐 ,  郭德霄 ,  徐宁 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构及其制备方法、功率器件，涉及氮化物功率器件技术领域。功率器件外延结构包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；P型氮化物层，设置在势垒层上，含铝层，设置在P型氮化物层上，含铝层具有远离P型氮化物层的第一表面，第一表面为刻蚀后形成的表面。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。

公开(公告)号：CN111326577B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202010149236.7

申请日：2020-03-05

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 何俊蕾 ,  刘成 ,  赵杰 ,  林育赐 ,  郭德霄 ,  徐宁 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率器件外延结构的制备方法及功率器件外延结构，属于氮化物功率器件技术领域。半导体外延结构包括：衬底及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物层、刻蚀终止层以及牺牲层，其中，刻蚀终止层为铝镓氮化合物材料。功率器件外延结构的制备方法包括：制作半导体外延结构；对半导体外延结构进行高温退火；刻蚀牺牲层，以形成表面平整的功率器件外延结构。该功率器件外延结构使P型氮化物层能够通过高温退火获得较高空穴浓度的同时具有平整的表面，进而提升金属与P型氮化物之间的电学特性及均匀性，以用于制备增强型HEMT。

公开(公告)号：CN114122127B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202011328758.X

申请日：2020-11-24

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 蔡文必 ,  徐宁 ,  刘成 ,  林育赐 ,  赵杰 ,  叶念慈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，减小2DEG浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2DEG浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2DEG浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。制备压应力介质层或张应力介质层时，先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。