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公开(公告)号：CN117418305A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311255203.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅晶体生长设备及生长方法，其中，提供一种碳化硅晶体生长设备，包括坩埚、气体混合装置和气化装置；其中，坩埚具有一腔室，该腔室用于放置原料和安装籽晶；气体混合装置通过第一管路与腔室连通，且第一管路上设有第一气路阀，气化装置通过第二管路与气体混合装置连通，用于放置并加热固态掺杂物；还包括第三管路，一端与气体混合装置连通，另一端用于与运载气体储存罐和/或掺杂气体储存罐连通；即本申请在碳化硅晶体生长过程中，可以通过第一气路阀控制包含掺杂气体和运载气体的混合气体传输至坩埚的腔室的速率，能有效控制掺杂气体的释放速度，提高晶体掺杂均匀性，保证了后续产品的电学性质。
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公开(公告)号：CN117488407A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311427438.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置，碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉，并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上；使用加热机构将硅粉和钽粉加热，以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽，并使气态的碳化硅和气态的硅化钽穿过通孔移动至待镀层工件的表面反应生成碳化钽涂层。本发明的碳化钽涂层的制备方法不需要使用烃类和炔类物质，进而不容易在加热条件下出现燃爆危险，提高了安全性。
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公开(公告)号：CN219752494U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202320675588.5
申请日：2023-03-30
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚，坩埚内包括用于放置碳化硅原料粉末的原料腔室和用于生长晶体的生长腔室，碳化硅原料粉末能在坩埚被加热时气化为碳化硅气氛；至少一个挡板，挡板均密闭地设置在坩埚中，且挡板被配置为将原料腔室和生长腔室隔开；挡板上设置有多个通孔，并通过通孔连通原料腔室和生长腔室。如此能够将长晶过程中原料和石墨坩埚中产生的碳颗粒进行阻挡，从而降低晶体中的碳包裹。
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公开(公告)号：CN222594075U
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202421158195.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置；碳化硅单晶生长装置包括坩埚、坩埚盖和第一保温层，坩埚具有腔室，腔室包括相互连通的原料区和生长区，原料区用于盛装碳化硅原料，生长区远离原料区的一端具有开口；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚，且用于遮挡或打开开口，坩埚盖还用于设置籽晶；第一保温层设置于腔室内，且围绕在原料区的外周。该碳化硅单晶生长装置能够增大轴向的温梯，以提高晶体生长速度，并有利于生长出厚度较大的晶体。
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