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公开(公告)号：CN101519799B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810100953.X
申请日：2008-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN外延层的制备方法，以m面蓝宝石为衬底，用磁控溅射方法沉积ZnO缓冲层，再用氢化物气相外延方法生长低温GaN保护层，之后升温到高温，在NH3气氛中退火，最后使用氢化物气相外延快速生长GaN厚膜。本发明的非极性m面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性LED、LD等光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN101469451A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304210.X
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种高性能氮化物材料的低成本外延方法。包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长光电子材料的器件结构。通过本发明可以实现高性能氮化物外延材料的低成本生长，发挥HVPE和MOCVD结合的最大性能。
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公开(公告)号：CN100418193C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510076325.9
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18 , C23C16/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。
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公开(公告)号：CN104409336B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410658716.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法：通过在衬底表面沉积一层低熔点金属，利用其在高温下的熔融性质来消除衬底层和外延层由于热膨胀系数不同而形成的热应力；为了成功进行异质外延，还需要在金属表面覆盖掩膜层，并且通过刻蚀露出生长窗口；调节生长参数，实现窗口区到掩膜区的横向外延。该方法能够利用金属熔化后的流动性质来消除外延层和衬底层界面间热应力，达到改善外延层质量，保证其不会龟裂。
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公开(公告)号：CN104876180A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510213917.4
申请日：2015-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳化硅片上制备薄膜层或不制备第二碳化硅片；步骤5：将第一和第二碳化硅片制备有薄膜层的一面相对进行热压键合或者进行静电键合，将第一和第二碳化硅片键合在一起；步骤6：退火，完成制备。本发明解决了传统方法中高温高压的极端键合条件及中间异质层带来的问题，为SiC MEMS相关器件的研制和实用化提供一种有效方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104867997A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510169684.2
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0256 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，该叠层太阳能电池包括：硅太阳能电池；在该硅太阳能电池上表面形成的高带隙光电转换材料；和/或在该硅太阳能电池下表面形成的低带隙光电转换材料。本发明针对硅太阳能电池性能难以大幅度提高的问题，添加额外的吸收层，即在硅基太阳能电池的正面和/或背面增加高能量光电转换材料和低能量光电转换材料，实现叠层多结硅基太阳能电池，以达到大幅提高硅基太阳能电池转换效率的目的，同时又不增加过多基础设施的投资，实现了低投入的高效太阳能电池制造能力。
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公开(公告)号：CN104112662A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410360667.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02046 , H01L21/67069
Abstract: 本发明公开了一种气相外延(VPE)在线清洗装置，包括：反应腔室，反应气体入口，清洗气体入口，排气口，衬底，衬底托，旋转装置，还包括在线清洗装置，用以去除残留在反应腔室内壁及各部件上造成污染的寄生氮化物。本发明针对VPE生长氮化物存在较强的寄生反应问题，添加额外的清洗装置，主要指在VPE设备中增加HCl或者氯气等刻蚀性气体供应，发展出刻蚀性气体清洗寄生GaN等氮化物膜的方法，实现VPE设备内部由于寄生反应在管壁、进出气口等处寄生产物的清理，保证设备的稳定性、重复性和长期使用性，从而降低维护成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104099662A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410332170.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。本发明利用石墨烯薄膜完美的六元环结构，能够实现在石墨烯薄膜上直接外延生长材料并使外延材料剥离，为解决异质外延及当中剥离的难题提供了方案。
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公开(公告)号：CN103887385A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103647008A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310750779.4
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。
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