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公开(公告)号：CN118529693A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410435356.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00 , G01P15/125 , G01P15/18 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明提供一种Z轴检测的三明治MEMS加速度计及其制备方法，涉及传感器技术领域，该制备方法包括：提供带有垂直引线的第一硅‑玻璃复合盖板和第二硅‑玻璃复合盖板，以及包括质量块、边框和悬臂梁的结构层；采用阳极键合工艺，将第一硅‑玻璃复合盖板、结构层和第二硅‑玻璃复合盖板从上到下依次对准叠合后进行键合；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的下端与结构层连接；在第一硅‑玻璃复合盖板的上表面形成第一金属电极和第二金属电极；第一硅‑玻璃复合盖板的垂直引线的上端与第一金属电极连接；在第二硅‑玻璃复合盖板的下表面形成第三金属电极。本发明采用阳极键合方式制备的加速度计可以实现Z轴加速度检测，并提升器件的空间利用率。
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公开(公告)号：CN105306003B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510810985.9
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种环形检测电极面内伸缩谐振器及其制备方法。所述谐振器包括：依次生长在衬底上的下电极缓冲层、下电极层、压电层、绝缘保护层和上电极层，该面内伸缩谐振器的主体结构包括通过中间的耦合梁连接的圆形平板驱动单元和检测单元，驱动单元从底部依次包括圆形下电极、压电薄膜层以及上面覆盖的圆形上电极层，检测单元从底部依次包括环形下电极层、压电薄膜层以及上面覆盖的环形上电极层，驱动单元和检测单元之间的耦合梁没有上电极层，所述主体结构的整体的外侧通过锚点两端固定连接在衬底上；所述主体结构下方的衬底通过背面刻蚀形成悬空结构。
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公开(公告)号：CN104482930B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410734012.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 一种应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构，包括：一耦合梁；一第一支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的一侧；一第二支撑梁，其一端纵向固定于耦合梁上的另一侧；该第一支撑梁和第二支撑梁相隔一预定距离。本发明具有结构尺寸小，结构简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN101468786A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304217.1
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明是一种用于MEMS的碳化硅微通道、微通道阵列及其制备方法，它涉及半导体工艺加工衬底和化学气相沉积方法制备碳化硅。本发明在衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸包括深度、宽度和长度以及它们的分布方式根据需要而定。此凹槽微结构用作制备碳化硅微通道的模版。然后用化学气相沉积方法在模版上制备一厚层碳化硅材料，此层碳化硅不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面，它还在凹槽顶部形成封闭结构，这样就在衬底上形成了以凹槽为模版的碳化硅微通道、微通道阵列。
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公开(公告)号：CN101150055A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610126999.X
申请日：2006-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , B81C1/00 , B81C5/00
Abstract: 本发明一种用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)将衬底外延生长面进行原位氢气刻蚀；3)在低压化学汽相沉积炉中在该衬底刻蚀面上外延生长一炭化层，此炭化层作为衬底和3C－SiC薄膜的过渡层，有利于制备3C－SiC薄膜；4)在炭化层上外延生长一3C－SiC薄膜；5)结束，完成3C－SiC薄膜的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118833773A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410429986.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体为一种基于聚酰亚胺牺牲层的RF MEMS开关的制备方法，S1、在衬底上制备隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。本发明能够实现精确的小尺寸图形转移，得到具有高平整度和良好触点凹窝形貌的高质量聚酰亚胺牺牲层，进而提升RF MEMS开关的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN116243407A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310142493.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种超透镜结构及电子设备。其中，该超透镜结构包括第一纳米结构层、第二纳米结构层和第三纳米结构层。第一纳米结构层用于接收入射光束，其中入射光束包括正入射光束和斜入射光束；第二纳米结构层位于第一纳米结构层上，用于接收入射光束，实现对入射光束的消色差；以及第三纳米结构层位于第二纳米结构层上，用于实现对经消色差的光束的聚焦。基于上述三层大视场的消色差超透镜结构，可以解决了现有超透镜不能同时实现大视场和宽波段成像的问题，有利于实现高性能的大视场宽带消色差效果。
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公开(公告)号：CN115394606A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110568371.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种MEMS开关，包括：衬底；第一触点(5)和第二触点(7)，设置在衬底上；可变形的导电悬臂(8)，导电悬臂的第一端与第一触点(5)电连接；以及第一可动触点(9)，设置在导电悬臂(8)的第二端，使得导电悬臂(8)通过第一可动触点(9)与第二触点(7)可断开地电连接，其中，导电悬臂(8)和第一可动触点(9)中的至少一个由钪合金制备而成。本公开通过优化MEMS开关悬臂梁和可动触点的材料选择，在金属中掺入不同比例的钪，提升了开关的寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN109659220A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710939614.X
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019
Abstract: 本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求。
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公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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