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公开(公告)号：CN106838821B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710094643.0
申请日：2017-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种匀化白光光源，包括一光源、一匀化系统和一荧光转换器件，其中：光源为点光源，用于发射光束；匀化系统用于对光束进行匀化，以使光束形成匀化面光源；荧光转换器件，用于接收匀化面光源的光束，实现白光输出。上述匀化系统为扩散片、衍射光学元件或微透镜阵列；上述荧光转换器件为含荧光转换材料的晶体片、烧结陶瓷或有机薄膜。本发明通过将原始光源变为能量均匀分布的面光源，增加了与含荧光转换材料发光元件的作用面积，提高了原始光源的利用率；且匀化后的面光源能够大幅降低含荧光转换材料的荧光转换器件承受的功率密度，从而提高荧光转换器件的长期稳定性、可靠性和使用寿命，同时有助于输出色温及显色指数可控且稳定的白光。
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公开(公告)号：CN106992232A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710148171.2
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: 一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管，包括：一n型GaN基化合物半导体层；一量子阱或异质结有源层，其制作在n型GaN基化合物半导体层上；一p型GaN基化合物半导体层，其制作在量子阱或异质结有源层上；一P电极，其制作在p型GaN基化合物半导体层的上面；一N电极，其制作在n型GaN基化合物半导体层的另一面上；其中n型GaN基化合物半导体层、量子阱或异质结有源层、p型GaN基化合物半导体层、P电极和N电极构成单颗晶粒。本发明可以降低GaN基LED使用成本，拓展GaN基LED的应用领域。
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公开(公告)号：CN104393045A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410710282.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三金属电极覆盖于高空穴浓度结构层的上表面；钝化保护层覆盖在势垒层上表面未被高空穴浓度结构层、第一金属电极和第二金属电极覆盖的区域；其中，第一金属电极和第二金属电极与势垒层之间形成欧姆接触，第三金属电极与高空穴浓度结构层之间形成肖特基接触。本发明还公开了一种GaN基增强型HEMT器件的制备方法。本发明可靠性高，重复性好，通过选择不同的组分渐变范围、不同的氮化物合金及其掺杂浓度和厚度可以实现对器件阈值电压的调节，使制得的器件满足不同的要求。
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公开(公告)号：CN104134736A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410363985.4
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/387 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种透明电极及其制作方法，在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极，通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能通过控制金属薄膜孔洞面积占比来控制电极的光透过率。
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公开(公告)号：CN102723357A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210110576.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105529246A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L29/66053
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
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公开(公告)号：CN104538290A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410851645.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66053 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四：将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
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公开(公告)号：CN116417495A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111650838.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了一种沟槽NMOSFET结构及其制备方法、NMOSFET器件，其该沟槽NMOSFET结构包括：基底部；主沟槽，刻蚀于基底部上；N‑‑型外延层，形成于基底部上，并位于主沟槽两侧；P型注入层，形成于基底部上，并位于N‑‑型外延层两侧；P型注入层在基底部上的注入深度大于主沟槽基底部上的刻蚀深度；N+型源层，形成于P型注入层和N‑‑型外延层上，并位于主沟槽两侧；P+型欧姆接触层，形成于P型注入层上，并位于N+型源层两侧。
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公开(公告)号：CN115101579A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210680756.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺杂p‑GaN层，沉积于重掺杂p‑GaN层上，轻掺杂p‑GaN层两侧形成沟槽结构；栅介质层，覆盖轻掺杂p‑GaN层的侧壁与沟槽结构，和重掺杂p‑GaN层的侧壁；以及栅金属层，与轻掺杂p‑GaN层顶部接触，用于与轻掺杂p‑GaN层形成栅极肖特基接触，本发明克服了传统p‑GaN栅HEMT器件的栅击穿电压普遍小于10V的问题，大幅提升了GaNHEMT器件的栅极正向击穿电压，降低了栅极泄露电流。
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