公开(公告)号：CN1881533A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510076325.9

申请日：2005-06-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘喆 ,  王军喜 ,  钟兴儒 ,  李晋闽 ,  曾一平 ,  段瑞飞 ,  马平 ,  魏同波 ,  林郭强

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。

公开(公告)号：CN100418193C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200510076325.9

申请日：2005-06-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘喆 ,  王军喜 ,  钟兴儒 ,  李晋闽 ,  曾一平 ,  段瑞飞 ,  马平 ,  魏同波 ,  林郭强

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外延生长室的上面，该上盖板的中间有一圆孔；一衬底旋转与提升装置，该衬底旋转与提升装置的前端有一杆部，该杆部的头端为衬底座，该杆部与上盖板的中间圆孔滑动配合；一金属反应源放置器，该金属反应源放置器放置在竖直式石英外延生长室中；一底盘，该底盘固定则竖直式石英外延生长室的下端，该底盘上开有多个进气孔；一氨气喷淋器，该氨气喷淋器上开有多个喷口，该氨气喷淋器用管路与底盘上的氨气进气孔连接。