公开(公告)号：CN104099662A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410332170.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵云 ,  王钢 ,  魏同波 ,  段瑞飞 ,  孙连峰 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/01

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。本发明利用石墨烯薄膜完美的六元环结构，能够实现在石墨烯薄膜上直接外延生长材料并使外延材料剥离，为解决异质外延及当中剥离的难题提供了方案。

公开(公告)号：CN103484831A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310424531.9

申请日：2013-09-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵云 ,  王刚 ,  孙连峰 ,  魏同波 ,  段瑞飞 ,  伊晓燕 ,  李晋闽

IPC: C23C16/26

Abstract: 一种在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：提供含镓氮化物的衬底；步骤2：将所述衬底放进CVD设备反应腔室中，置于加热温场均匀的中心区域；步骤3：向CVD反应腔室中的衬底通入保护性气体；步骤4：对CVD反应腔室进行加热；步骤5：开始加热后，向CVD反应腔室中通入反应气体；步骤6：CVD反应腔室达到生长温度后，通入碳源，进行石墨烯薄膜生长；步骤7：生长完成后，停止通入碳源，停止加热；步骤8：向CVD反应腔室中持续通入保护性气体，待CVD反应腔室的温度降至室温后取出生长后的衬底，完成石墨烯薄膜的生长。本发明制备的石墨烯薄膜可在导电性和透明度之间找到平衡，加强了机械强度。