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公开(公告)号：CN113270533A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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公开(公告)号：CN103647016B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310681449.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103644999A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706910.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。本发明同时公开了一种制作低量程高灵敏度MEMS压力传感器的方法。由于多孔硅材料具有优越的压阻性能和机械性能，采用此结构的多孔硅MEMS压力传感器可以在保持线性度的同时提高灵敏度，同时通过灵活的结构设计可以实现在超低压力范围的应用。
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公开(公告)号：CN120064842A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510263154.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种悬空岛微电机系统热电性能测试器件及制备方法，可以应用于半导体器件技术领域，该热电性能测试器件包括：基底；悬空岛结构，包括第一悬空岛、中心悬空岛、第三悬空岛，第一悬空岛和第二悬空岛关于中心悬空岛对称悬空设置在基底之上；多个第一金属组件，在第一悬空岛、中心悬空岛和第二悬空岛上均设置有一个第一金属组件；其中，在将待测目标放置于第一悬空岛和中心悬空岛之间的情况下，通过第一悬空岛对应的第一金属组件获取第一信号，通过第二悬空岛对应的第二金属组件获取第二信号，对第一信号和第二信号进行差分计算，基于差分计算的结果确定待测目标的热电性能测试结果。
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公开(公告)号：CN113270533B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920713B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
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公开(公告)号：CN108117041A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711414427.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂，形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层；步骤2：用氢氟酸清洗，碱溶液清洗，RCA清洗；步骤3：采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅层；步骤4：在富氮氮化硅层的一面光刻、刻蚀，制作出微纳结构凹槽；步骤5：在碱性溶液中溶解掉单晶硅衬底的部分本体硅，形成可动微纳结构；步骤6：在氢氟酸中除去富氮氮化硅层，RCA清洗，获得浓硼掺杂硅的可动微纳结构。本发明的制备方法，可以准确、低成本制作出所设计的单晶硅微纳可动结构，有望在MEMS传感器制备加工中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN107957304A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711103665.5
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法，所述MEMS压力传感器包括：衬底和玻璃板，其中所述衬底的背面有一背腔，所述衬底的背面与所述玻璃板键合，所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜，所述感压薄膜上设置有二维电子气层形成的压敏电阻条，所述感压薄膜和所述压敏电阻条上设置有绝缘层，所述压敏电阻条两端的绝缘层被刻蚀形成电学接触孔，所述压敏电阻条两端和所述电学接触孔上沉积有第一金属层，所述第一金属层上设置有第二金属层，所述第二金属层形成电学互联引线和压焊块。本发明的压力传感器灵敏度高、稳定性强，可以满足工业苛刻环境中的使用。
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公开(公告)号：CN103904209B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410155903.7
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的平面热电器件的制备方法，包括：在衬底上制备一层P++层；在P++层上淀积第一绝缘材料层；淀积第一金属材料层，并在第一金属材料层上形成对称且具有一定间距的两个电阻；在电极引线附近开孔，暴露出部分P++层；在暴露出的部分P++层和电极引线上分别沉积第二金属材料层；在整个表面沉积第二绝缘材料层；暴露出蛇形电阻和电极引线之间的部分衬底，并在两个对称蛇形电阻的中央保留至少一个条形结构；刻蚀所述条形结构使其变成纳米线结构；从所暴露出的部分衬底进行湿法腐蚀，使得蛇形电阻、以及纳米线结构所在部位悬空；刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，暴露出第二金属材料层和纳米线结构。
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公开(公告)号：CN111579147B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010482344.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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