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公开(公告)号：CN115367693B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN118908145A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410955542.8
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。
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公开(公告)号：CN117954517A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410081287.9
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种全介质双C字形凹槽超表面陷光结构及其制备方法和应用。该全介质双C字形凹槽超表面陷光结构包括：通过刻蚀氮化硅薄膜而形成的双C字形凹槽阵列超表面，用于减小表面光的反射率，增加光在薄膜电池内部的光程，从而增加电池的短路电流密度；其中，该双C字形凹槽阵列超表面具有多个呈阵列式排布的双C字形凹槽单元，每个双C字形凹槽单元均为非中心对称的全介质双C字形凹槽。利用本发明，有效解决了现有技术在制作太阳能电池光电转化效率低和超表面中阵列结构的工艺一致性难以保证的问题。
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公开(公告)号：CN115367693A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110542788.9
申请日：2021-05-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种微型MEMS压阻压力传感器的制备方法，在顶硅层通过离子注入制备出压敏电阻，在背硅层通过刻蚀制备出空腔，并且在SOI晶圆正反两面进行两次键合，分别充当用作保护的临时键合片和用作空腔密封的基底，整体是三明治结构。这种结构保证了器件的刚度，降低在后续加工工艺中晶圆发生碎裂的概率，也可以实现更薄的器件厚度。实现微型化，减薄器件厚度及后续器件的保护，采用临时键合该微机械压阻压力传感器可以在SOI片磨抛减薄中起到正面保护的作用，同时由于键合后上层临时键合片的存在，保证了整体的刚度，避免后续工艺中因片子过薄引起的碎裂，并且易于后续分离。
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公开(公告)号：CN111579147B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010482344.6
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108190829B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201711498024.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。
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公开(公告)号：CN111477689A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910071617.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高雪崩耐量碳化硅JBS结构及制备方法，结构主要包括阴极电极，N+型衬底，N-型外延层，P型注入区和阳极电极，其中P型注入区分两类，一类为条状注入区，另一类为锥状注入区。两类P型注入是通过在掩膜层上进行两次光刻刻蚀出深浅不同的沟槽实现的，引入锥状P型注入区可以明显提高碳化硅JBS的雪崩耐量。
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公开(公告)号：CN109920713A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179100.8
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其中：离子源电离产生的离子由离子引出组件导出，经单离子束结构形成微束，然后通过离子阱选定待注入离子并进行逐个释放，形成单离子束；单离子束通过纳米孔光阑后注入样品，根据单离子探测器对离子数量的检测来控制束线挡板；样品台上固定带特征定位标记的样品，对样品台进行移动时，成像单元对特征定位标记进行成像定位，而使纳米孔光阑对准待注入位置，实现注入离子数量和位置的精确控制。
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公开(公告)号：CN109709069A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN109686810A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811559379.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/112 , H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。
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