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公开(公告)号：CN111952707A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010503676.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域，下表面具有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体，用支撑用于支撑第一金属区域；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁，由层压后的多层板激光加工沟槽后，电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号：CN111463536A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010271480.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01P3/06
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP柔性基板的微同轴电路的制造方法及微同轴电路，包括如下步骤：将若干LCP基板依次叠层、固定后进行多层层压制作出多层混压板，其中作为底座的LCP基板的外侧面具有一覆盖金属层；在所述多层混压板内制作出内导体空气孔和外导体空气圈；在所述内导体空气孔和所述外导体空气圈中电镀金属层；将所述覆盖金属层腐蚀掉，制成出同轴结构。本发明能够进行微同轴电路的制造，且制造出的微同轴电路能够埋置在高频介质基板内，并且制作工艺简单，可行性强。
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公开(公告)号：CN111081674A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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公开(公告)号：CN110400741A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910681247.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L23/64
Abstract: 本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift-off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
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公开(公告)号：CN119742583A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411457753.5
申请日：2024-10-18
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明涉及微波天线技术领域，提供了一种紧凑型小型化电调AIP有源天线，包括：多层印制电路板、天线结构及微电路结构；所述印制电路板的一侧开有缺口槽，与所述印制电路板上的谐振匹配电路构成天线结构；所述天线结构连接到所述微电路结构中的电压调制电路，用于调节所述天线结构的谐振频率；所述天线结构通过类同轴结构与所述微电路结构中的所述射频链路连接，根据调节后的所述谐振频率接收射频信号，或产生相应的谐振以向外辐射信号。本发明提出的AIP天线具有结构紧凑，低剖面的特点，体积小，重量轻，便于集成与携带，每个AIP天线相对独立，可以根据不同需求调整天线数量及排列方式形成新的天线阵形式，具有良好的灵活性和普适性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921503B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111160165.1
申请日：2021-09-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：分别将LCP布线底板、LCP粘结层、LCP布线顶板进行对位层压，通过激光打孔、化学沉铜，形成基板互连铜柱；利用屏蔽腔固定工装将LCP基板芯片屏蔽腔垂直固定；将芯片、有源/无源器件贴装后，引线键合，利用灌封工装完成灌封，实现芯片屏蔽互连转接板制作。本发明提供的一种芯片屏蔽互连转接板及其制备方法，该转接板是利用LCP可弯折的柔性基板特性，将特定功能芯片进行有效屏蔽与互连，并通过灌封实现与外部器件的高密度互连，具有屏蔽效果好，工艺实现简单，集成度高等优势，可满足多芯片电路系统等小型化、多功能、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN115347061B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210985706.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H10F77/40 , H10F77/20 , H10F77/1226 , H10F30/10
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装领域，特别是涉及一种异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关。本发明所提供的光导开关包括碳化硅半绝缘晶片、输入电极和输出电极。输入电极和输出电极在晶片两侧呈异面正对设置，在电极周围分别设置有多个不同直径的同心圆环形槽体，圆环形槽体上面有钝化层。本发明通过圆环形槽体的设置，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，降低电极边缘场强，并通过将电极正对设置，提高了电场均匀性，避免导通瞬间电场畸变，从而提升了光导开关的耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN116299845B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310136894.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种光波导与碳化硅小尺寸界面异质键合方法，包括：选择SiC晶片，在SiC晶片上制备SiO2钝化层；在所述SiC晶片侧边连接SiO2光波导,所述SiO2光波导进光的一侧镀空气与SiO2增透膜，与SiC晶片连接的一侧镀SiO2与SiC增透膜；将SiO2光波导与SiC晶片进行对位；通过SiO2光波导对SiC晶片相对的两侧同时加热且施加压力，以键合SiO2光波导；通过热压实现SiC上SiO2钝化层与增透膜上SiO2的原子间扩散互连。本发明能解决小尺寸半导体界面异质键合问题，提高了半导体器件的耐击穿强度。
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公开(公告)号：CN114698267B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110908257.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种LCP多层柔性电路板曲面成型方法，包括：根据共形平台加工第一底座，第一底座具有小于共形平台弯曲角度的成型曲面，第一底座上设置有第一压块，第一压块的凸头与第一底座的弯曲弧度相匹配；将平面LCP多层基板放置于第一底座上，压上第一压块，保温后取出；加工第二底座，第二底座具有大于第一底座弯曲角度的成型曲面，第二底座上设置有第二压块；将弯曲LCP多层基板放置于第二底座上，压上第二压块，保温后取出。每次对底座可增加5°～15°，通过多次阶梯递进弯曲角度实现最终所述LCP多层基板的弯曲成型。本发明能够有效降低LCP多层基板一次弯曲成型过程中应力过大导致的与平台不贴合，有效降低基板弯曲应力。
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公开(公告)号：CN111509122B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010314752.0
申请日：2020-04-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H10N97/00 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种内埋置无源阻容元件的LCP封装基板及制作方法，该LCP封装基板包括：薄膜阻容、LCP基板底板、至少一块LCP基板过渡片、至少两个LCP基板粘结片，以及LCP基板盖板，依次将LCP基板底板、LCP基板粘结片、LCP基板过渡片、薄膜阻容、LCP基板粘结片和LCP基板盖板进行两次层压封装，其中，一块LCP基板粘结片位于两块LCP基板之间，薄膜阻容的电极均有表层电极电镀铜柱引出。本发明利用多层层压封装方式，将高精度、高稳定性薄膜电阻和薄膜电容埋置于LCP封装基板内，其薄膜阻容可根据尺寸设计进行多层间灵活埋置，大大增加LCP基板表面利用率，提高基板组装密度。
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