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公开(公告)号：CN111081674B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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公开(公告)号：CN105118815B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510493827.5
申请日：2015-08-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
CPC classification number: H01L23/48 , H01L2224/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
Abstract: 本发明公开了一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法，该结构包括：至少两层功能化铝基板，其包括：铝通柱，铝半通柱，接地铝柱，芯片埋置腔，埋铝接地层以及埋铝互连线；埋置芯片，埋置于功能化铝基板的芯片埋置腔内；薄膜互连线，两端分别连接埋置芯片和铝半通柱；金属间化合物垂直互连线，两端分别连接相邻两层功能化铝基板的铝通柱；介质层，设置于功能化铝基板的表面。该方法包括：功能化铝基板的制备；埋置芯片的贴装；薄膜互连线的制备；介质层的制备；金属间化合物的沉积；三维堆叠垂直互连。本发明提高了封装效率和互连密度，采用金属间化合物垂直互连达到“低温制备，高温使用”的效果。
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公开(公告)号：CN105244313B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201510566421.5
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法，在干净的基板上表面上溅射复合粘附层；在复合粘附层之上进行光刻，形成薄膜导带光刻图形；电镀复合金属层，并在表面电镀Cu层；去胶；在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻，形成薄膜通孔光刻图形；湿法腐蚀，将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除；去胶；旋涂苯丙环丁烯、显影处理，光刻介质膜通孔图形；利用超声显影方法，去除显影残留；湿法腐蚀，去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层，在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层；固化BCB介质层，完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题，可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110267511A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910569432.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种微波组件的电磁屏蔽装置，包括：上盒体、下盒体以及内盖板；上盒体具有第一开口，第一开口与上盒体的底面相对；下盒体具有第二开口，第二开口与下盒体的底面相对；内盖板设于上盒体与下盒体之间；上盒体的底面朝向第一开口延伸有第一隔离墙，内盖板的上表面设有第一连接部，第一隔离墙的延伸末端与第一连接部可拆装的固连；下盒体的底面朝向第二开口延伸有第二隔离墙，内盖板的下表面设有第二连接部，第二隔离墙的延伸末端与第二连接部可拆装的固连；第一开口的周侧设有第一凹陷部，第二开口的周侧设有第二凹陷部，第一凹陷部、第二凹陷部形成焊料容置槽；内盖板与第一开口的边缘以及第二开口的边缘焊接连接。
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公开(公告)号：CN105023901B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510493876.9
申请日：2015-08-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种基于铝基板的三维叠层芯片的封装结构及其制备方法，该结构包括：至少两层平行设置的具有两相对的第一表面和第二表面的功能化铝基板，贴装在第二表面的芯片，贴装在第一表面的铝基围坝，设置于功能化铝基板和铝基围坝之间的环氧树脂基体，围绕在封装结构外面的侧面金属化互连层以及信号引出层；功能化铝基板包括埋铝互连层和通孔，芯片与埋铝互连层电连接。该方法包括：功能化铝基板的制备；功能化铝基板的通孔的制备；多芯片模块的封装；信号引出层的制备；三维叠层封装；侧面金属化互连层的制备。本发明提高了封装效率和互连密度，有效减小了三维叠层芯片封装的体积。
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公开(公告)号：CN111987010A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910424009.8
申请日：2019-05-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片的自动共晶焊接方法，包括：对载体、焊料片和功率芯片进行预处理；对载体进行预热；在载体上放置焊料片；使用自动拾取吸头拾取功率芯片，自动拾取吸头将功率芯片放置在焊料片上进行热压并进行刮擦；自动拾取吸头取回共晶完成后的功率芯片。该种功率芯片的自动共晶焊接方法具有高共晶效率及高焊接质量。本发明还提供了一种功率芯片的自动共晶焊接的拾取吸头，包括：斜边卡槽，包括底槽、斜向卡板，斜向卡板布设在底槽相对的侧边，且朝向底槽的外侧倾斜，底槽开设有通孔；和吸管，吸管的一端固连于通孔。
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公开(公告)号：CN110267511B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910569432.7
申请日：2019-06-27
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种微波组件的电磁屏蔽装置，包括：上盒体、下盒体以及内盖板；上盒体具有第一开口，第一开口与上盒体的底面相对；下盒体具有第二开口，第二开口与下盒体的底面相对；内盖板设于上盒体与下盒体之间；上盒体的底面朝向第一开口延伸有第一隔离墙，内盖板的上表面设有第一连接部，第一隔离墙的延伸末端与第一连接部可拆装的固连；下盒体的底面朝向第二开口延伸有第二隔离墙，内盖板的下表面设有第二连接部，第二隔离墙的延伸末端与第二连接部可拆装的固连；第一开口的周侧设有第一凹陷部，第二开口的周侧设有第二凹陷部，第一凹陷部、第二凹陷部形成焊料容置槽；内盖板与第一开口的边缘以及第二开口的边缘焊接连接。
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公开(公告)号：CN111081674A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010002829.0
申请日：2020-01-02
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/373 , H01L23/14 , H01L21/48 , B22F7/08
Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金转接板及其制备方法，该转接板包括基板、连接柱阵列以及填充在所述连接柱阵列与所述基板的缝隙中的绝缘介质层，所述连接柱阵列为由所述基板通过激光垂直通孔技术加工而成的，所述基板和所述连接柱阵列为高硅铝合金，所述绝缘介质层为玻璃介质，所述连接柱阵列的连接柱与所述绝缘介质层同轴，所述连接柱、所述玻璃介质与所述基板具有同样的高度。采用本发明提供的方法制备的转接板结合界面牢固、可靠、气密性好，由于盲孔中心连接柱本身具备导电性，可直接用于电气互联，可省去通孔金属化过程，简化了转接板制备工艺流程，降低了转接板制备的时间和成本。
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