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公开(公告)号：CN112820721B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110056692.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线，包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板，天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层，射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层，本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线，解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题，相比传统的硅转接板或LTCC基板，可以降低成本，并提高散热，同时，本发明完成基板和壳体的集成，实现基板和壳体的结构功能一体化，获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号：CN112802809B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110055168.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法，该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金，所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板，所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装，所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成，所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上，实现了结构一体成型、一致性，简化了硅铝合金封装基板制备工序，结构强度高，同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法，该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强，耗时短，成本低，可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN111586965B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010452075.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP基材的高功率共形组件制备方法及共形组件，包括LCP多层板、芯片以及壳体；所述壳体具有一凸台，所述LCP多层板设置有一与所述凸台相匹配的芯片埋置槽；所述LCP多层板通过所述芯片埋置槽套设在所述LCP多层板上；所述芯片设置在所述凸台的端面上，并通过键合引线与所述LCP多层板上侧面的金属层电连接。本发明通过高频稳定性好损耗低的LCP基板进行组件基板制备，可有效降低信号损耗，解决常用射频基板应用频率低且无法共形装配的问题，相比柔性基板吸湿率低，解决了柔性基板散热差，无法应用于贴装高功率芯片的问题，实现了共形组件、壳体一体化散热封装。
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公开(公告)号：CN111952707B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010503676.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线，包括：对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板，目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域，下表面具有第一金属层；对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽，沟槽延伸至第一金属层；以第一金属层为阴极，沟槽为模具，对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面；在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体，用支撑用于支撑第一金属区域；将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁，由层压后的多层板激光加工沟槽后，电铸铜填充形成，减少了层压次数，解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号：CN112002770A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010843478.6
申请日：2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关，包括碳化硅衬底及两个电极，两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上，电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层，且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧，其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层，传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差，焊料片较厚，焊接后易形成凸起导致电荷集中，通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位，同时可有效控制焊料厚度及形状，提高光导开关的电极连接可靠性，从而提升光导开关的耐压能力及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293102A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010107752.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/60 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基板混合薄膜多层布线制作方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板，薄膜沉积铝复合膜层，进行铝选择性阳极氧化，在多孔氧化铝结构中形成铝布线绝缘层，在铝膜中形成芯片散热结构和金属铝柱阵列；再次进行薄膜沉积铝膜，进行铝选择性阳极氧化，依次重复，制备出Al2O3/Al薄膜多层布线层；在其上薄膜沉积铜复合膜层，采用光刻工艺制作铜薄膜导带，制作BCB介质膜通孔；再采用薄膜沉积、光刻工艺制作顶层薄膜导带和焊盘，以制备出BCB/Cu薄膜多层布线层。克服薄膜布线层数无法增加，BCB应力累积造成的互连可靠性差、软基材组装困难等问题，并且在基板上进行高密度布线互连，可满足高功率芯片和大规模集成电路等小型化、高可靠集成需求。
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公开(公告)号：CN108963462A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810794693.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所 , 南京航空航天大学
IPC: H01Q13/02
CPC classification number: H01Q13/0291
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波纹馈源喇叭制造方法，将馈源喇叭难以加工的三维环形内腔齿槽微结构转化为易于电铸的二维平面叠片结构，叠片厚度为内腔齿宽或者槽宽。具体为：预先制作馈源喇叭所需的叠片，在叠片的至少一侧设置粘附层，之后将叠片进行堆叠，堆叠时将内径最小的叠片在装配基座最底层，堆叠后为一喇叭状结构，将堆叠成喇叭状的叠片进行真空热压键合成型，形成太赫兹波纹馈源喇叭。本发明解决了传统技术制作高频波纹馈源喇叭内波纹微细结构加工难的问题。
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公开(公告)号：CN105118815B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510493827.5
申请日：2015-08-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
CPC classification number: H01L23/48 , H01L2224/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
Abstract: 本发明公开了一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法，该结构包括：至少两层功能化铝基板，其包括：铝通柱，铝半通柱，接地铝柱，芯片埋置腔，埋铝接地层以及埋铝互连线；埋置芯片，埋置于功能化铝基板的芯片埋置腔内；薄膜互连线，两端分别连接埋置芯片和铝半通柱；金属间化合物垂直互连线，两端分别连接相邻两层功能化铝基板的铝通柱；介质层，设置于功能化铝基板的表面。该方法包括：功能化铝基板的制备；埋置芯片的贴装；薄膜互连线的制备；介质层的制备；金属间化合物的沉积；三维堆叠垂直互连。本发明提高了封装效率和互连密度，采用金属间化合物垂直互连达到“低温制备，高温使用”的效果。
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公开(公告)号：CN105244313B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201510566421.5
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法，在干净的基板上表面上溅射复合粘附层；在复合粘附层之上进行光刻，形成薄膜导带光刻图形；电镀复合金属层，并在表面电镀Cu层；去胶；在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻，形成薄膜通孔光刻图形；湿法腐蚀，将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除；去胶；旋涂苯丙环丁烯、显影处理，光刻介质膜通孔图形；利用超声显影方法，去除显影残留；湿法腐蚀，去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层，在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层；固化BCB介质层，完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题，可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。
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公开(公告)号：CN104157580A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410395319.9
申请日：2014-08-12
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
CPC classification number: H01L21/4871 , H01L21/76801 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/3677 , H01L23/3736 , H01L23/5283
Abstract: 本发明涉及一种基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法和结构。选择低成本的铝片作为芯片埋置基板，以铝阳极氧化技术制备出双面多孔型氧化铝膜；利用矩形环铝腔保护，及多孔型氧化铝膜选择性腐蚀的特性，获得埋置芯片的腔体结构，完成芯片共面埋置；通过正面介质层填充光刻及薄膜金属层布线等工艺，完成埋置芯片互连。本发明定位精度高，且埋置腔尺寸与芯片匹配性好，有效解决不同芯片尺寸的低成本、高精度共面埋置问题；并且利用背面铝通柱设计可很好地解决芯片散热问题；具有低介电常数的介质层可充当芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、多孔氧化铝深沟槽填充物，尤其能够解决铝基板表面平坦化、改善基板弯曲或翘曲的问题，满足薄膜工艺。
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