公开(公告)号：CN104201163B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410394975.7

申请日：2014-08-12

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘米丰 ,  丁蕾 ,  杨旭一 ,  王立春

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，该高密度转接板包括：微穿孔铝基板，薄膜互连层以及BGA结构，其中：微穿孔铝基板包括多孔铝结构、金属柱阵列、埋铝互连层以及铝通柱。该制造方法包括以下步骤：提供一表面抛光铝基板，进行多孔型阳极氧化，形成多孔铝结构，在多孔铝结构的孔隙中形成金属柱阵列，在铝基板中形成埋铝互连层和铝通柱，形成微穿孔铝基板；在微穿孔铝基板第二表面形成薄膜互连层；在微穿孔铝基板的第一表面和薄膜互连层表面形成BGA 结构。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，能够满足微米级高密度三维互连的需求，此外该转接板还具备优异的散热性能和可靠性。

公开(公告)号：CN104201163A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410394975.7

申请日：2014-08-12

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘米丰 ,  丁蕾 ,  杨旭一 ,  王立春

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16225

Abstract: 本发明公开了一种基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，该高密度转接板包括：微穿孔铝基板，薄膜互连层以及BGA结构，其中：微穿孔铝基板包括多孔铝结构、金属柱阵列、埋铝互连层以及铝通柱。该制造方法包括以下步骤：提供一表面抛光铝基板，进行多孔型阳极氧化，形成多孔铝结构，在多孔铝结构的孔隙中形成金属柱阵列，在铝基板中形成埋铝互连层和铝通柱，形成微穿孔铝基板；在微穿孔铝基板第二表面形成薄膜互连层；在微穿孔铝基板的第一表面和薄膜互连层表面形成BGA结构。本发明提供的基于铝阳极氧化技术的高密度转接板及其制造方法，能够满足微米级高密度三维互连的需求，此外该转接板还具备优异的散热性能和可靠性。

公开(公告)号：CN105244313B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201510566421.5

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  陈靖 ,  杨旭一 ,  谢慧琴 ,  吴伟伟 ,  刘米丰 ,  王立春

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法，在干净的基板上表面上溅射复合粘附层；在复合粘附层之上进行光刻，形成薄膜导带光刻图形；电镀复合金属层，并在表面电镀Cu层；去胶；在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻，形成薄膜通孔光刻图形；湿法腐蚀，将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除；去胶；旋涂苯丙环丁烯、显影处理，光刻介质膜通孔图形；利用超声显影方法，去除显影残留；湿法腐蚀，去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层，在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层；固化BCB介质层，完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题，可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。

公开(公告)号：CN104157580A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410395319.9

申请日：2014-08-12

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  杨旭一 ,  陈靖

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/4871 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/5283

Abstract: 本发明涉及一种基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法和结构。选择低成本的铝片作为芯片埋置基板，以铝阳极氧化技术制备出双面多孔型氧化铝膜；利用矩形环铝腔保护，及多孔型氧化铝膜选择性腐蚀的特性，获得埋置芯片的腔体结构，完成芯片共面埋置；通过正面介质层填充光刻及薄膜金属层布线等工艺，完成埋置芯片互连。本发明定位精度高，且埋置腔尺寸与芯片匹配性好，有效解决不同芯片尺寸的低成本、高精度共面埋置问题；并且利用背面铝通柱设计可很好地解决芯片散热问题；具有低介电常数的介质层可充当芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、多孔氧化铝深沟槽填充物，尤其能够解决铝基板表面平坦化、改善基板弯曲或翘曲的问题，满足薄膜工艺。

公开(公告)号：CN105039980B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510567348.3

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 刘凯 ,  杨旭一 ,  高翔 ,  王立春

IPC: C23C28/02 ,  C23C18/36 ,  C25D3/12 ,  C25D3/48 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50

Abstract: 本发明提供一种铝硅合金材料微波组件镀覆镍金的处理方法，包括以下步骤：a.前处理：先将铝硅合金材料微波组件依次清洗、漂洗、碱洗、水洗、酸洗和水洗；b.化学镀镍：将所述组件置于化学镀镍溶液中化学镀，然后用流动的纯水漂洗；c.电镀镍:将所述组件置于电镀镍溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗；d.电镀金：将所述组件置于电镀金溶液中电镀，然后用流动的纯水漂洗，之后用酒精脱水；e.热处理：将所述组件置于烘箱中进行热处理，烘箱内的升温速率为≤10℃/min，升温至250‑300℃，保温时间为60‑120min，之后在烘箱内自然冷却。本发明的处理方法在进行热处理时只进行一步式热处理，不需氢气气氛保护，工艺流程简单，且热处理温度较低，安全性较高。

公开(公告)号：CN104157580B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410395319.9

申请日：2014-08-12

Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所

Inventor： 丁蕾 ,  杨旭一 ,  陈靖

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明涉及一种基于铝阳极氧化技术的埋置芯片互连封装方法和结构。选择低成本的铝片作为芯片埋置基板，以铝阳极氧化技术制备出双面多孔型氧化铝膜；利用矩形环铝腔保护，及多孔型氧化铝膜选择性腐蚀的特性，获得埋置芯片的腔体结构，完成芯片共面埋置；通过正面介质层填充光刻及薄膜金属层布线等工艺，完成埋置芯片互连。本发明定位精度高，且埋置腔尺寸与芯片匹配性好，有效解决不同芯片尺寸的低成本、高精度共面埋置问题；并且利用背面铝通柱设计可很好地解决芯片散热问题；具有低介电常数的介质层可充当芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、多孔氧化铝深沟槽填充物，尤其能够解决铝基板表面平坦化、改善基板弯曲或翘曲的问题，满足薄膜工艺。