公开(公告)号：CN105093569B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201510562937.2

申请日：2015-09-07

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 冯松 ,  薛斌 ,  李连碧 ,  张国青 ,  宋立勋 ,  翟学军 ,  朱长军

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。

公开(公告)号：CN106057929B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201610378283.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  冯松 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  涂喆研 ,  韩雨凌 ,  褚庆

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄膜；其次对得到的本征晶体锗薄膜再次进行沉积，沉积出P型重掺杂晶体锗薄膜，再次对得到的带有P型重掺杂晶体锗薄膜的样品在N型单晶碳化硅面沉积ITO电极，接下来对得到的样品在P型重掺杂晶体锗薄膜上沉积ITO电极，最后进行退火以形成欧姆接触，然后利用网版印刷法于正背面将银导线与ITO电极连接形成引出电极，本发明解决了现有技术中存在的由于碳化硅材料禁带宽而使只能受控于紫外光源而不能近红外通信光源的问题。

公开(公告)号：CN118730296A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410759671.X

申请日：2024-06-13

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  张昊童 ,  朱香平 ,  王磊 ,  杨延飞 ,  刘露 ,  张向通 ,  王悦 ,  李连碧 ,  刘丽娜

IPC: G01J1/44

Abstract: 本发明公开的正面照射式单光子成像的多像素光子计数器及其制造方法，包括衬底及其上方依次设置的外延层和金属网格层，外延层上对应金属网格层的开口区域阵列设置有若干第一富掺杂区，其上方共同设置有与其形成PN结且连接至金属网格层的第二富掺杂区，衬底内对应若干第一富掺杂区间隔区域通过开设隔离沟槽形成有阵列设置的若干柱状结构，其底端分别通过电极共同连接有信号读出电路。本发明中雪崩电流脉冲通过G‑APD单元下方衬底的柱状结构传输至信号读出电路，实现了正面入射模拟型MPPC的单光子探测与成像。由于探测器芯片表面无需电路结构与淬灭电阻，不占用面积，因此实现了高的填充因子，从而提高了探测器的探测效率。

公开(公告)号：CN118367038A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410333965.6

申请日：2024-03-22

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  李子健 ,  朱香平 ,  杨延飞 ,  刘露 ,  张向通 ,  王磊 ,  王悦 ,  李连碧 ,  刘丽娜

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开的提高硅光电倍增管近红外波段光谱响应范围的结构及方法，包括设置于硅光电倍增管光敏面的上转换层，上转换层由液态透明封装介质中均匀掺入上转换纳米荧光材料固化而成。本发明通过在SiPM光敏面的透明封装介质中掺入上转换纳米荧光材料将近红外波段光子转换为可见波段光子进行探测，缓解了现有近红外单光子探测器性能较差、利用非线性晶体上转换进行近红外探测的方法系统复杂且集成度低的问题，实现了SiPM间接探测波长大于1100nm的红外光，扩展了SiPM的光谱响应范围，且便于生产，能够大幅度降低探测器的制造成本。

公开(公告)号：CN116865691A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310877262.5

申请日：2023-07-17

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 雷倩倩 ,  刘启航 ,  曾泽楠 ,  赵二虎 ,  李连碧 ,  冯松 ,  李泽斌

IPC: H03F1/48 ,  H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H04B1/525

Abstract: 本发明公开了具有带宽可重构技术的超宽带低噪声放大器，包括输入匹配级电路、增益放大级电路、第一级可调负载网络、第二级可调并联峰化负载网络以及输出缓冲级电路；信号从输入匹配级电路流入、经并联反馈网络拓展带宽、经第一级可调负载网络流入增益放大级、经增益放大级电路的进一步放大、经第二级可调并联峰化负载后到达输出缓冲级输出。本发明超宽带低噪声放大器采用的带宽可重构技术通过在负载端引入开关控制低频阻抗谐振点与增益极点实现频带切换，减小了芯片面积，控制了成本，实现了宽带与宽带之间的频率切换，保证了不同频带内的增益平坦度性能，减少了开关的插损对电路整体的噪声贡献。

公开(公告)号：CN116626467A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310630327.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  张武 ,  王磊 ,  刘丽娜 ,  李连碧

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。

公开(公告)号：CN115881839A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211473690.3

申请日：2022-11-22

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 李连碧 ,  丁斌斌 ,  李蕾 ,  贡楷文 ,  王蓉 ,  李泽斌 ,  张国青 ,  夏蔡娟 ,  宋立勋 ,  曹得重 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C23C14/18 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。

公开(公告)号：CN114978155A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210758516.7

申请日：2022-06-30

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 雷倩倩 ,  潘诚 ,  赵二虎 ,  于鹏 ,  陈振骐 ,  李连碧 ,  冯松 ,  杨延飞

IPC: H03L7/08

Abstract: 本发明公开了一种具有优化相位噪声的锁相环系统，包括构成一个闭环系统的时间数字转换器、数字环路滤波器、数模转换器、压控振荡器以及分频器；时间数字转换器的一个输入基准信号是R、另一个输入信号是D，时间数字转换器的输出信号DI为数字环路滤波器的输入信号，数字环路滤波器的输出信号FDI为数模转换器的输入信号，数模转换器的输出信号VI为压控振荡器的输入信号，压控振荡器的输出信号P为分频器的输入信号，分频器的输出信号为时间数字转换器的另一个输入信号D。本发明利用数模转换器级联压控振荡器代替数控振荡器降低相位噪声，利用高精度的时间数字转换器和精度较高的数模转换器改善相位噪声。

公开(公告)号：CN114793093A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210456811.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 雷倩倩 ,  高宇飞 ,  赵二虎 ,  徐化 ,  陈振骐 ,  刘启航 ,  杨延飞 ,  李连碧 ,  冯松

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03H7/01

Abstract: 本发明公开了一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器，包括匹配电路、LNA主电路、第一级陷波滤波器以及第二陷滤波电路，其中：匹配电路包括电容Cpad1和Cs以及电感Lp和Ls；LNA主电路包括N型MOS管M1、M2和M3，可变并联反馈电阻R1和隔直电容C2、C3，负载电感L2、L3以及负载电阻R2；第一级陷波滤波器包括电感L1、电容C1和可调电容Cp1；第二级陷波滤波器包括电感L4和可调电容C4以及电容Cpad2和其对应的补偿电感Lout。本发明实现了低噪声并且强化了滤波性能；有效减少了LC并联谐振电路的噪声贡献；在保证滤波深度的同时补偿了滤波器对低噪声放大器通带的增益抑制。

公开(公告)号：CN108516541B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201810320411.7

申请日：2018-04-02

Applicant: 西安工程大学 ,  西安理工大学

Inventor： 李连碧 ,  臧源 ,  胡继超 ,  林生晃 ,  贺小敏 ,  褚庆 ,  冯松 ,  蒲红斌 ,  封先锋 ,  宋立勋 ,  雷倩倩 ,  涂喆研

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/186

Abstract: 本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。