公开(公告)号：CN119765018B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510238795.8

申请日：2025-03-03

Applicant: 深圳市立洋光电子股份有限公司

Inventor： 秦胜研 ,  屈军毅 ,  何绍勇

IPC: H01S5/20 ,  C23C14/28 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06

Abstract: 本申请公开了多层VCSEL芯片的制备方法，制备方法包括：对单晶硅基底进行电子束光刻处理，得到具有预定纳米图案化结构的基底；向基底表面通入氨基硅烷气体源，得到覆盖有单分子层的基底；对覆盖有单分子层的基底依次沉积铝氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶体层；基于激光脉冲技术将半导体材料蒸发并凝结到光子晶体层上，形成具有预定厚度的量子阱层；在氮气环境下，将量子阱层中的材料原子按照预定的晶格排列进行重组，得到优化量子阱层；对优化量子阱层上沉积金属电极形成电接触层，得到多层VCSEL芯片。本申请提升了VCSEL芯片的性能和生产可控性，解决了现有技术中存在的晶体缺陷、表面粗糙度和应力不匹配等问题，具有显著的技术优势。

公开(公告)号：CN119824369A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510034590.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  徐明杰 ,  张铮 ,  张先坤 ,  洪孟羽 ,  王玉南 ,  尚金森 ,  刘明蕊

IPC: C23C14/14 ,  H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。所述基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处理，在衬底表面获得范德华接触的介电层。该方法利用易挥发性材料作为介电层材料生长的籽晶层和形成范德华间隙的牺牲层，避免了原位沉积对二维半导体材料造成的损伤以及直接沉积的介电层材料致密度不足、薄膜厚度不均匀问题，优化了晶体管器件的构筑工艺。该方法无需通过转移就可以实现原位沉积的介电层的范德华接触，与硅基晶体管构筑工艺兼容，有望应用于硅基制程中。

公开(公告)号：CN119753587A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411991780.0

申请日：2024-12-31

Applicant: 旗滨新能源发展(深圳)有限责任公司

Inventor： 吴根辉 ,  张书晶 ,  伍丰伟 ,  刘志坤 ,  何敏贞 ,  林振超

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C23C14/32 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明公开了一种蒸发源和蒸镀装置，涉及真空蒸镀技术领域，其中，蒸发源用于向位于所述蒸发源下方的基片进行镀膜，所述蒸发源包括壳体、多个反应料槽及抽真空组件。所述壳体形成有气源室，所述壳体设有连通所述气源室的喷嘴；每一所述反应料槽通过一运输通道与所述气源室连通，且每一所述运输通道设有用于连通或断开所述运输通道的第一阀门，所述反应料槽用于加热镀膜材料；所述抽真空组件分别与多个所述反应料槽连通，用于将所述反应料槽内抽真空。本发明提供的蒸发源和蒸镀装置，旨在优化蒸镀时补充镀膜材料的方式，提升镀膜材料的纯度，以提升生产效率和蒸镀膜层的质量，并降低生产成本。

公开(公告)号：CN119710548A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411871390.X

申请日：2024-12-18

Applicant: 湖北大学

Inventor： 卢寅梅 ,  何云斌 ,  何子龙 ,  于嘉诚 ,  李派 ,  黎明锴 ,  陈剑 ,  徐文峰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种适用于智能节能领域的半导体薄膜材料及其制备方法。本发明提供的TiO2/WxV1‑xO2/ZrO2多层薄膜系统通过W6+离子掺杂VO2以实现WxV1‑xO2功能层薄膜相变温度的调节，采用TiO2作为种子层来提高WxV1‑xO2功能层薄膜的结晶质量，使用ZrO2作为减反层来调控多层薄膜的光学性能。本发明提供的多层薄膜系统具有金属‑半导体转变特性，其相变温度可低至37℃，对300‑2500nm波长范围内的光调制能力可达11.9％，同时室温下可见光透过率可保持在40％以上。另外，本发明提出的多层薄膜系统具有制备容易、造价低廉、环境稳定性高、适合规模化生产的特点。

公开(公告)号：CN116356261B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202310325158.5

申请日：2023-03-30

Applicant: 同济大学

Inventor： 李宇飞 ,  时钟

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法，属于磁性薄膜材料技术领域，包括：在掺钪的钆镓石榴石（Gd3Sc2Ga3O12，GSGG）且晶相为(0 0 1)的单晶衬底上制备铽铁石榴石(Tb3Fe5O12,TbIG)薄膜的过程中，在不改变其他实验条件的情况下，只通过改变脉冲激光的单脉冲能量强度的大小，即可制备出具有面内、垂直磁各向异性的TbIG薄膜，实现对其磁各向异性的调控，其厚度可以在纳米尺度至亚微米尺度任意沉积。本权利要求中的方法简单易实现，而且大大降低了实验生产成本，提高了灵活性。

公开(公告)号：CN115740495B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202211367237.4

申请日：2022-11-02

Applicant: 大博医疗科技股份有限公司

Inventor： 伊明扬 ,  曾达 ,  甘艺良 ,  胡征宇 ,  陈艳文 ,  陈宇新

IPC: B22F10/28 ,  B22F5/10 ,  B22F10/62 ,  B22F10/64 ,  B22F10/66 ,  C23C14/16 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明涉及一种3D打印骨小梁口腔种植体的方法，所述骨小梁口腔种植体包括一体成型的种植体基体和骨小梁多孔结构；所述骨小梁多孔结构位于种植体基体轴向的中段；所述种植体基体设置外螺纹。打印方法包括以下步骤：通过三维设计软件得到具有骨小梁多孔结构的口腔种植体3D模型；利用SLM技术进行成型制造、喷砂和退火处理，得到骨小梁口腔种植体初品；利用气相沉积技术在所述骨小梁口腔种植体初品表面形成钽金属涂层，得到具有钽涂层的骨小梁口腔种植体。该方法获得的骨小梁口腔种植体的致密度和力学强度高，有利于种植体发挥良好的修复效果，具有极好的运用前景。

公开(公告)号：CN119486581A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411547785.4

申请日：2024-12-20

Applicant: 河海大学

Inventor： 徐萌 ,  陈凯龙 ,  邵智斌 ,  孙光耀 ,  申澳莉

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  H10N70/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明的一种多场调控的可逆纳米裂纹膜及其应用，纳米裂纹膜为在PMN‑PT（001）铁电单晶衬底上沉积的碲薄膜；在由光照、电场诱导的铁电畴翻转和光照效应的结合作用下，碲薄膜表面的纳米裂纹可逆开闭，并实现多重阻态切换。通过施加光场和与衬底厚度方向平行的电场，共同调控Te薄膜阻态，包括：衬底处于正极化态时，光照对薄膜阻态的调控作用减弱；衬底处于负极化态时，光照对薄膜电阻的调控作用显著增强。由于激光照射下导致的衬底温度升高，引起铁电畴消失或失活，从而使得薄膜表面的纳米机械裂纹愈合以及薄膜电阻减小。其利用电场改变极化态和光场产生的光生载流子和热量共同调控薄膜阻态，为构建多态存储器件提供了新的思路。

公开(公告)号：CN111404026B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202010312648.8

申请日：2020-04-20

Applicant: 全磊光电股份有限公司

Inventor： 单智发 ,  张永 ,  陈阳华 ,  方天足

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C28/04

Abstract: 一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。

公开(公告)号：CN119392184A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411525152.3

申请日：2024-10-30

Applicant: 洛阳中唯冶金材料科技有限公司

Inventor： 曹阳 ,  赵瑞清 ,  李伟锋

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/50 ,  C23C14/06 ,  B22D41/18 ,  B28B7/00 ,  B28B21/04 ,  B28B21/90 ,  B28B11/24

Abstract: 本发明属于整体浇注塞棒抗侵蚀层成型技术领域，本发明公开了一种整体浇注塞棒抗侵蚀层的激光沉积装置及带有抗侵蚀层整体浇筑塞棒的制作方法，整体浇注塞棒抗侵蚀层的激光沉积装置主要包括脉冲激光发射装置一、脉冲激光发射装置二、激光沉积室、立式直线模组、塞棒固定装置；带有抗侵蚀层整体浇筑塞棒的制作方法，步骤一、钢芯的加工处理；步骤二、浇注料的配料；步骤三、整体浇注塞棒的浇注成型；步骤四、激光轰击靶材的制作；步骤五、整体浇注塞棒抗侵蚀层的激光沉积；本发明在整体浇注塞棒的浇注体表面，形成致密性高的抗侵蚀层；使整体塞棒的浇注体表面所形成的抗侵蚀层厚度均匀性和完整性；防止整体塞棒的钢芯因高温膨胀所导致的浇注体开裂。

公开(公告)号：CN119031687B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411506598.1

申请日：2024-10-28

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 胡广月

IPC: H05K9/00 ,  H05H1/24 ,  G03F7/20 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明提供了一种用于激光等离子体的低电磁干扰靶室及其系统，包括：外层真空靶室、内层金属靶室和辐射屏蔽通道；内层金属靶室通过绝缘支撑块固定在外层真空靶室的内部，内层金属靶室处于零电位；外层真空靶室包括：设置在侧壁内的第一真空管道，将内层金属靶室的线缆与外层真空靶室隔离；辐射屏蔽通道设置在内层金属靶室内部，辐射屏蔽通道的一端与内层金属靶室密封连接；另一端向靶物质方向延伸，与内层金属靶室连通；辐射屏蔽通道为具有截止频率的金属管状结构。本发明通过设置内层金属靶室，使激光等离子体产生的电磁干扰被金属内屏蔽层阻挡，大幅度降低了对外层真空靶室的电磁干扰。