-
公开(公告)号：CN118712300A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410808064.8
申请日：2024-06-21
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；以纳米多孔GaN分布布拉格反射镜为衬底，采用脉冲激光沉积技术生长Eu掺杂的氧化镓薄膜，制备具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的氧化镓薄膜；采用退火技术，将上述氧化镓薄膜转变为不同Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜。本发明制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高、Eu浓度可调的单晶β‑氧化镓薄膜。
-
公开(公告)号：CN118016770A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410122154.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。
-
公开(公告)号：CN112095117B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202010857283.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安工程大学
Inventor： 曹得重
IPC: C25B11/03 , C25B11/04 , C25B1/04 , C23C28/00 , C25F3/12 , C23C16/34 , C25B1/55 , C23C14/24 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极；本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。
-
公开(公告)号：CN118016770B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410122154.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、u‑GaN/n‑GaN周期性结构、GaN基超晶格和多量子阱层，得到GaN基MQW结构；在电解液中，对所述GaN基MQW结构进行电化学刻蚀，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基MQW；以中孔GaN基MQW为衬底，采用再生长技术生长p‑GaN层，制备具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED。本发明是一种具有中孔GaN DBR的中孔GaN基LED的制备方法，能够制备出应力松弛、晶体质量高、散热能力强、大面积、发光效率高的GaN基LED。
-
公开(公告)号：CN110299435B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910537632.4
申请日：2019-06-20
Applicant: 西安工程大学
Inventor： 曹得重
Abstract: 本发明公开的是一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对InP片进行电化学刻蚀，制得多孔InP，然后提高电压，制备剥离的大面积的多孔InP薄膜；步骤2、在电解液中，对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行电化学刻蚀，制得分布布拉格反射镜；步骤3、采用转移技术将所述多孔InP薄膜转移至步骤2所述分布布拉格反射镜衬底上，最后制备出大面积、具有分布布拉格反射镜的InP薄膜。其光致发光峰位置可调制到541.2nm，且发光强度比转移前的多孔InP提高2‑4倍。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109830583B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910098470.9
申请日：2019-01-31
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对生长在c‑面蓝宝石衬底上的n‑GaN/n+‑GaN周期性结构进行电化学刻蚀，制得纳米多孔GaN；步骤2、采用退火技术将所述纳米多孔GaN转变为具有GaN/纳米空腔周期性结构的GaN薄膜；步骤3、在所述GaN薄膜上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN超晶格和多量子阱层以及Mg掺杂p‑GaN层，制得InGaN基蓝光二极管。本发明是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，能够制备出大面积、高发光效率的InGaN基蓝光发光二极管。
-
公开(公告)号：CN109830583A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910098470.9
申请日：2019-01-31
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开的是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对生长在c-面蓝宝石衬底上的n-GaN/n+-GaN周期性结构进行电化学刻蚀，制得纳米多孔GaN；步骤2、采用退火技术将所述纳米多孔GaN转变为具有GaN/纳米空腔周期性结构的GaN薄膜；步骤3、在所述GaN薄膜上依次外延生长n-GaN层、InGaN/GaN超晶格和多量子阱层以及Mg掺杂p-GaN层，制得InGaN基蓝光二极管。本发明是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，能够制备出大面积、高发光效率的InGaN基蓝光发光二极管。
-
公开(公告)号：CN115881839A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211473690.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 西安工程大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
-
公开(公告)号：CN112095117A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010857283.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安工程大学
Inventor： 曹得重
Abstract: 本发明公开了一种新型InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极；本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。
-
公开(公告)号：CN110299435A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910537632.4
申请日：2019-06-20
Applicant: 西安工程大学
Inventor： 曹得重
Abstract: 本发明公开的是一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对InP片进行电化学刻蚀，制得多孔InP，然后提高电压，制备剥离的大面积的多孔InP薄膜；步骤2、在电解液中，对n-GaN/u-GaN周期性结构进行电化学刻蚀，制得分布布拉格反射镜；步骤3、采用转移技术将所述多孔InP薄膜转移至步骤2所述分布布拉格反射镜衬底上，最后制备出大面积、具有分布布拉格反射镜的InP薄膜。其光致发光峰位置可调制到541.2nm，且发光强度比转移前的多孔InP提高2-4倍。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.013 seconds)
