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公开(公告)号：CN101154642A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710161214.7
申请日：2007-09-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/3135 , H01L23/49524 , H01L24/24 , H01L24/40 , H01L24/82 , H01L24/84 , H01L2224/24246 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可靠性高、容易制造且能使内阻更加降低的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有：半导体元件3；引线4，具有与设置在半导体元件3上的电极连接的电极；以及金属膜6，使半导体元件3的电极与引线4的电极电连接。
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公开(公告)号：CN1744338A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510093512.8
申请日：2005-08-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L35/32
Abstract: 本发明是关于一种热电变换装置以及热电变换装置的制造方法。因为即使在300℃或以上的高温环境下也可以使用，且由于在第二基板上的电极和与此相对应的各热电组件的一端是使用金进行接合，故不需要焊锡。另外，在不使用金进行接合一方的第一基板上的电极以及各热电组件的另一端之间，设置可以吸收各热电组件的伸缩的导电性构件，同时将盖体配置在第二基板的外侧以覆盖第二基板，并通过将盖体与第一基板结合，以使压力施加于第二基板和第一基板之间，藉以保持住第二基板、电极与导电性构件。藉此防止：如同以焊锡进行电极与热电组件的接合的情形，因热变形而造成的热电组件损伤。
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公开(公告)号：CN1604353A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410095162.4
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L35/06 , H01L35/30 , H01L35/32 , H01L35/34 , H05K1/0204 , H05K2201/10219 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144
Abstract: 提供一种可靠性高的热电变换装置，该热电变换装置(1)具有多个p型热电元件(10)和n型热电元件(11)，与应配置各个热电元件(10、11)的位置对应配置的多个放热侧电极(13)，在形成平面的放热侧基板(14)的表面上配置成矩阵状，关于多个p型热电元件(10)和多个n型热电元件(11)，在使吸热侧电极(5)在这些热电元件的吸热侧端面上滑动的同时，所述各个热电元件(10、11)的放热侧端面和放热侧电极(13)利用焊锡(12)进行接合。
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公开(公告)号：CN104425055B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410452753.6
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0074 , B22F2999/00 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/32 , B23K35/322 , B23K35/325 , B23K35/3601 , B23K35/362 , C22C1/0491 , C22C5/06 , H01L21/4867 , H01L23/3737 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/2744 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29372 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/2938 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/8322 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01102 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1067 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/0543 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B22F1/0022
Abstract: 根据本发明，可提供含有极性溶剂、和分散在上述极性溶剂中且包含第一金属的粒子的金属粒子膏糊。在上述极性溶剂中，溶解有与上述第一金属不同的第二金属。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。
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公开(公告)号：CN104637877A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410640037.0
申请日：2014-11-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置。实施方式的半导体芯片的制造方法包括：在半导体基板上形成分别包含保护膜的多个蚀刻掩膜，划分出所述半导体基板中的被所述多个蚀刻掩膜保护的多个第1区域和所述半导体基板中的作为露出的区域的第2区域；通过化学蚀刻处理将所述第2区域各向异性地除去，形成分别具有至少一部分位于与所述蚀刻掩膜的端面同一面内的侧壁和到达所述半导体基板的背面的底部的多个槽，由此，将所述半导体基板单片化成与所述多个第1区域对应的多个芯片主体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101261971B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810082197.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。
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公开(公告)号：CN101320781A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810131648.7
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种可靠性高的热电变换装置，该热电变换装置(1)具有多个p型热电元件(10)和n型热电元件(11)，与应配置各个热电元件(10、11)的位置对应配置的多个放热侧电极(13)，在形成平面的放热侧基板(14)的表面上配置成矩阵状，关于多个p型热电元件(10)和多个n型热电元件(11)，在使吸热侧电极(5)在这些热电元件的吸热侧端面上滑动的同时，所述各个热电元件(10、11)的放热侧端面和放热侧电极(13)利用焊锡(12)进行接合。
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公开(公告)号：CN101231946A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008863.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/607 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/298 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19043 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
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公开(公告)号：CN1738004A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092145.X
申请日：2005-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/73204 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
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公开(公告)号：CN1702881A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510083723.3
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在热电转换装置中，具有弹性的细金属丝网作为导电元件安装在第一电极和热电元件之间，以便提高生产率，即使每个元件加热而产生热变形，它也能够在不损害滑动结构的可靠性的情况下减少性能的变化。这种布局避免了细金属丝网线的温度在热电转换装置运行中升高，并防止细金属丝网线的弹性退化。另外，这种构造消除了第一电极与热电元件使用焊料焊接的必要性。而且，当组装热电转换装置时，细金属丝网线的弹性可使各个热电元件间高度上的变化得到调节。
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