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公开(公告)号：CN100452309C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510092145.X
申请日：2005-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/73204 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
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公开(公告)号：CN1738004A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092145.X
申请日：2005-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/73204 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
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公开(公告)号：CN101834148B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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公开(公告)号：CN101834148A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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