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公开(公告)号：CN103794585B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310447264.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L23/49562 , H01L23/50 , H01L25/072 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种半导体功率转换器，其包括：彼此相对的第一电导体和第二电导体（34，36）；第一半导体元件和第二半导体元件（38，40），其连结到第一电导体的第一连结面；第一凸电导体和第二凸电导体（44a，44b），其连结到第一半导体元件和第二半导体元件；结合部，其连结到第一凸电导体和第二凸电导体和第二电导体的第二连结面；功率端子（46a，46）；信号端子（50）；和封套（52），其密封组成构件。封套包括平坦的底面，所述平坦的底面与半导体元件垂直地延伸，并且在所述封套中暴露电导体的第一底面和第二底面。
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公开(公告)号：CN103828053A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280044655.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 公开了一种包括多个芯片（3）半导体发光器件（10a）。每一个所述芯片（3）包括：半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面（15a）相对的一侧的第二面、以及发光层（12a）；以及被设置在所述第二面上的p侧电极（16）和n侧电极（17），并且每一个所述芯片（3）彼此分离开。p侧外部端子（23a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述p侧电极（16）的p侧金属柱（23）的端面。n侧外部端子（24a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述n侧电极（17）的n侧金属柱（24）的端面。层（25）将p侧金属柱（23）与n侧金属柱（24）分离开，并且具有比所述半导体层（15）的硬度更低的硬度。
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公开(公告)号：CN102270721A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110159444.6
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。
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公开(公告)号：CN103811476B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310447385.1
申请日：2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/1815 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种半导体器件，其包括：第一电导体；第二电导体；布置在第一电导体与第二电导体之间的第一半导体元件和第二半导体元件；第一功率端子（46a）；第二功率端子（46a）；信号端子（50）；和块状绝缘体（52），所述块状绝缘体覆盖这些部件。绝缘体包括：平坦的底面，在所述平坦的底面中暴露出第一电导体和第二电导体；平坦的第一侧面（52a）；第二侧面（52b）；顶面（52d）；第一端面（52e）；和第二端面。第一功率端子、第二功率端子和信号端子分别从第一端面、第二端面和顶面向外延伸。绝缘体的第一端面、顶面和第二端面形成有分型线（54）。
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公开(公告)号：CN102650387B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210046675.0
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V29/503
CPC classification number: F21K9/1355 , F21K9/23 , F21V23/02 , F21V29/75 , F21V29/76 , F21Y2115/10
Abstract: 一种照明装置，包括：外壳、电源单元和发光单元。外壳具有侧部，该侧部设置在与从电源单元朝发光单元的方向平行的第一轴线的周围。该侧部具有设置在与第一轴线平行的中央轴线周围的第一部分和第二部分。第一部分具有到中央轴线的长距离。第二部分具有到中央轴线的短距离。当通过垂直于中央轴线的截面切开内表面时，第二部分的内表面的端部具有从垂直于中央轴线的部分与具有相对于中央轴线的凹进结构的部分中选择的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928603A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410192631.8
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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公开(公告)号：CN103811476A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310447385.1
申请日：2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49811 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/1815 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种半导体器件，其包括：第一电导体；第二电导体；布置在第一电导体与第二电导体之间的第一半导体元件和第二半导体元件；第一功率端子（46a）；第二功率端子（46a）；信号端子（50）；和块状绝缘体（52），所述块状绝缘体覆盖这些部件。绝缘体包括：平坦的底面，在所述平坦的底面中暴露出第一电导体和第二电导体；平坦的第一侧面（52a）；第二侧面（52b）；顶面（52d）；第一端面（52e）；和第二端面。第一功率端子、第二功率端子和信号端子分别从第一端面、第二端面和顶面向外延伸。绝缘体的第一端面、顶面和第二端面形成有分型线（54）。
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公开(公告)号：CN103794585A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310447264.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4839 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L23/49562 , H01L23/50 , H01L25/072 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，提供一种半导体功率转换器，其包括：彼此相对的第一电导体和第二电导体（34，36）；第一半导体元件和第二半导体元件（38，40），其连结到第一电导体的第一连结面；第一凸电导体和第二凸电导体（44a，44b），其连结到第一半导体元件和第二半导体元件；结合部，其连结到第一凸电导体和第二凸电导体和第二电导体的第二连结面；功率端子（46a，46）；信号端子（50）；和封套（52），其密封组成构件。封套包括平坦的底面，所述平坦的底面与半导体元件垂直地延伸，并且在所述封套中暴露电导体的第一底面和第二底面。
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公开(公告)号：CN101254892B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810082278.2
申请日：2008-02-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/14
CPC classification number: B81B7/0077 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率，并且确保高可靠性。该半导体装置具有：半导体基板(2)；MEMS部(3)，形成于半导体基板(2)表面；以及，盖部，与MEMS部(3)离开距离配置，覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面；上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。
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