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公开(公告)号：CN112992795A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911297315.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件，所述压接式IGBT子模组结构包括依次层叠设置的框体结构、IGBT芯片组件、电路旁路结构、碟簧组件和管盖，所述电路旁路结构分别与所述IGBT芯片组件和所述框体结构抵接，所述管盖和所述电路旁路结构之间具有间隙，所述碟簧组件使所述管盖具有背离所述电路旁路结构的方向运动的趋势，当对所述管盖施加朝向所述电路旁路结构方向的力时，所述管盖能够朝向所述电路旁路结构的方向移动，并能够与所述电路旁路结构相抵。本发明组装方便，能够节省封装空间，提升流通能力。
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公开(公告)号：CN112687676A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011474379.1
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种压接式IGBT子模组及压接式IGBT模块，该压接式IGBT子模组包括间隔设置于所述下电极板上方的若干IGBT芯片和若干FRD芯片。该压接式IGBT模块包括若干压接式IGBT子模组；管壳，包括管盖和管座；其中，所述管座为镂空结构，所述管座包括若干第五开孔和位于所述第五开孔周围的第三裙边结构；所述第五开孔用于裸露出各个所述压接式IGBT子模组的下电极板；所述第三裙边结构与所述下电极板的第一裙边结构接触，以实现密封封装。该压接式IGBT模块采用镂空结构的管座，降低了热流路径上的热阻，在这种结构下，可采用冷压焊或氩弧焊的方式实现模块密封，简化生产流程。
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公开(公告)号：CN112687630A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011483001.8
申请日：2020-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种功率器件及其制作方法，包括：半导体芯片和耐湿层，所述耐湿层包括第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述半导体芯片的上方和侧方；所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上方。
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公开(公告)号：CN112636054A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN118366947A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311755263.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种电子封装器件及功率模块，涉及半导体封装技术领域。本发明的电子封装器件包括用于安装芯片的衬板、包裹在衬板外的塑封体、以及用于连接衬板和外部电器的多个第一端子；第一端子至少部分嵌入塑封体内，第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，以形成接触密封。由于第一端子为具有台阶的阶梯形结构，阶梯形结构的台阶端面与塑封体的成型顶面相齐平，转模时第一连接段与上模腔壁面直接接触，因此无需在塑封模具上为每个PIN针单独配置定位结构；由于在塑封时第一端子的台阶端面与塑封体之间形成接触密封，解决了转模塑封时容易发生环氧树脂外溢的问题。
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公开(公告)号：CN117393520A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311432574.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种压接式功率模块的压接结构、功率模块及功率器件，该压接结构包括电极座，所述电极座的压接区域中具有多个压接凸台，所述压接凸台具有用于与对应的功率芯片模组相接触的台面；其中，自所述压接区域的中心沿径向向外的方向上，所述压接凸台的台面的面积逐渐减小。基于本发明的技术方案，通过对电极座上不同位置的压接凸台的台面面积的差异化设计，可以对外部输入压力差异进行补偿，提升功率模块内部的压力均衡性，保证功率模块的均流特性。
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公开(公告)号：CN112636054B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011362069.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备组件、压接式功率模块及制造方法，该半导体设备组件包括主电路子组件和栅极子组件，所述主电路子组件包括多个主电路导电机构和主电路旁路机构，所述主电路导电机构包括半导体芯片以及一端通过垫片与所述半导体芯片接触的主电路导电柱；其中，所述主电路旁路机构为一体式结构，并且套设在多个所述主电路导电柱上，与每个所述主电路导电柱形成并联连接。通过该半导体设备组件，将所有芯片的旁路结构连通，当某一个导体芯片失效时，与其并联的芯片旁路结构能够继续提供电流导通路径，并且短路结构能够提升通流大小，提升旁路结构的失效通流能力。
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公开(公告)号：CN111524877B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910108735.9
申请日：2019-02-03
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114068449A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111537612.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本申请提供了一种散热基板以及功率模块。该散热基板的下表面形成有多个针翅，所述针翅构造为以下一种或几种：在散热需求高的区域针翅分布的密度大、具有第一结构以及包括第一结构和不同于第一结构的其他结构的组合；从而提高对散热需求高的区域的换热效率，有利于避免出现散热短板；将第一结构的针翅布置在对散热需求高的区域，由于第一结构的针翅有较高散热能力，有利于避免该区域成为散热短板；不同芯片安装区域的针翅横截面的形状不同，使得模块在保持散热性能的前提下，冷却液流阻降低。
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公开(公告)号：CN113035790A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911347198.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供了一种焊接底座及功率半导体模块，涉及功率模块制造技术领域。该焊接底座包括管状的主体，主体的第一端和第二端分别设置有垂直于主体外壁向外延伸的第一环形凸缘和第二环形凸缘，其特征在于，第一环形凸缘和第二环形凸缘中的至少一个的远离主体的凸缘表面上设置有环状凸台。该焊接底座的端面上设置有环状凸台，从而增大焊接底座与衬板上覆铜层的焊接结合面面积，有利于避免焊接底座的脱落。该功率半导体模块包括上述的焊接底座。
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