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公开(公告)号：CN1261998C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN03156516.6
申请日：2003-09-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/00 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/3677 , H01L23/522 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供因可以实现导电部分对由在低相对介电系数膜内发生的热应力引起的负载的耐久性的提高而提高了可靠性的半导体器件。具体解决方案是：在硅衬底1上边2层叠层起来设置的低相对介电系数在3.4以下的低相对介电系数膜4的每一者的下层，设置杨氏模量在30GPa以上的SiCN膜3。在各个低相对介电系数膜4的内部设置Cu导电层14、26。在Cu导电层14、26上电连上Cu导电插针15、27，构成通电路径。此外，在Cu导电层14、26上，还设置Cu增强插针16、28使之在连接到这些Cu导电层14、26上的同时，还贯通在各个低相对介电系数膜4的每一者的下侧的SiCN膜。各个Cu增强插针16、28，通过势垒金属膜9、21实质上连接到SiCN膜3上。
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公开(公告)号：CN1776903A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510128561.0
申请日：2002-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/485 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/05647 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101350340B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810125628.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN101350340A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810125628.9
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN100383958C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510007564.9
申请日：2005-02-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 莲沼正彦
CPC classification number: H01L23/367 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，包括：半导体芯片，在其内部具有第一金属导热介质；衬底，具有热连接到第一金属导热介质的第二金属导热介质；以及温度控制装置，其至少部分设置在衬底上，热连接到第二金属导热介质，以及设置为控制半导体芯片内的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1893059A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610101719.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/522 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：多个层间介电膜，层叠并设置在衬底上方的多个层中；至少一个第一导体，设置在所述层叠层间介电膜的至少一个层间介电膜中；以及多个第二导体，设置在其中设置有所述第一导体的所述层间介电膜中，并被连接至所述第一导体的下表面，以及以这样的方式沿从所述第一导体向下的方向延伸并沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向进一步延伸，以便互相间隔，从而形成网格形状。
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公开(公告)号：CN1293622C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02156814.6
申请日：2002-12-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/314 , H01L21/3205
Abstract: 一种半导体器件，包括：已形成了元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的具有3以下的介电系数的低介电系数绝缘膜；已埋入到上述低介电系数绝缘膜中的插针和布线，和在上述低介电系数绝缘膜和上述插针之间接连到上述插针的侧面上形成的杨氏模量15GPa以上的高杨氏模量绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1848407A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073921.6
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31616 , C23C16/045 , C23C16/45536 , C23C16/482 , H01L21/02178 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67109 , H01L21/67748 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76828 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
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公开(公告)号：CN1241261C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02118069.5
申请日：2002-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76886 , H01L21/76888 , H01L22/32 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05605 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45116 , H01L2224/4512 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48505 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48799 , H01L2224/48805 , H01L2224/48811 , H01L2224/48813 , H01L2224/48816 , H01L2224/4882 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/85375 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2224/05609 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2224/48713 , H01L2224/48705 , H01L2224/4872 , H01L2224/48605 , H01L2224/48613 , H01L2224/4862 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1652458A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
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