公开(公告)号：CN1293622C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02156814.6

申请日：2002-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  川之上孝

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种半导体器件，包括：已形成了元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的具有3以下的介电系数的低介电系数绝缘膜；已埋入到上述低介电系数绝缘膜中的插针和布线，和在上述低介电系数绝缘膜和上述插针之间接连到上述插针的侧面上形成的杨氏模量15GPa以上的高杨氏模量绝缘膜。

公开(公告)号：CN1428840A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02156814.6

申请日：2002-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  川之上孝

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：已形成了元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的具有3以下的介电系数的低介电系数绝缘膜；已埋入到上述低介电系数绝缘膜中的插针和布线，和在上述低介电系数绝缘膜和上述插针之间接连到上述插针的侧面上形成的杨氏模量15GPa以上的高杨氏模量绝缘膜。