公开(公告)号：CN100477158C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610073921.6

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

公开(公告)号：CN112444275B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010160142.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  富泽英之 ,  中村直文

IPC: G01D5/241 ,  G01P15/125

Abstract: 提供能够提高灵敏度的传感器。根据一个实施方式，传感器包括基体、第1结构体及第2结构体。第1结构体包括第1固定部、第1导电部及多个第1电极。第1固定部被固定于基体。第1导电部被保持于第1固定部。第1导电部在第1方向上与基体分离。多个第1电极被保持于第1导电部。从多个第1电极中的一个朝向多个第1电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第2结构体包括第2导电部及多个第2电极。第2导电部被固定于基体。多个第2电极被保持于第2导电部。多个第2电极中的一个位于多个第1电极中的一个与多个第1电极中的另一个之间。多个第1电极中的一个的沿着第1方向的第1电极长度比第1导电部的沿着第1方向的第1导电部长度短。

公开(公告)号：CN112444273B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202010160792.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝(JP)

Inventor： 藤本明 ,  富泽英之 ,  汤泽亚希子 ,  中村直文

IPC: G01D5/12

Abstract: 根据一个实施方式，涉及的传感器包括基体、第1可动构造体以及第1固定构造体。所述第1可动构造体包括多个第1可动电极。多个第1可动电极与基体之间的沿着第1方向的距离可变，所述第1方向是从基体朝向多个第1可动电极的方向。从多个第1可动电极中的一个朝向多个第1可动电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。所述第1固定构造体包括多个第1固定电极。多个第1固定电极中的一个位于多个第1可动电极中的所述一个与多个第1可动电极中的所述另一个之间。多个第1可动电极中的所述一个的沿着第1方向的第1可动电极长度比多个第1固定电极中的所述一个的沿着第1方向的第1固定电极长度短。由此，提供具有高检测能力的传感器。

公开(公告)号：CN100440502C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200510005674.1

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村直文 ,  松永范昭 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  西冈岳

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/10 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括设置在半导体基片上的第一绝缘层。第一绝缘层包括基本由具有相对介电常数小于3的材料构成的一薄层。第一绝缘层包括由孔塞和导线构成的第一整体的结构。导线的上表面与第一绝缘层的上表面齐平，而孔塞的下表面则与第一绝缘层的下表面齐平。区域保护部件由孔塞和导线构成的第二整体的结构形成。第二整体结构从第一绝缘层的上表面延伸到第一绝缘层的下表面。区域保护部件包围着在水平平面上的边界区分隔的第一到第n区(n是自然数2或更大)中一个区。

公开(公告)号：CN1670953A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510005674.1

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村直文 ,  松永范昭 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  西冈岳

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/10 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置包括设置在半导体基片上的第一绝缘层。第一绝缘层包括基本由具有相对介电常数小于3的材料构成的一薄层。第一绝缘层包括由孔塞和导线构成的第一整体的结构。导线的上表面与第一绝缘层的上表面齐平，而孔塞的下表面则与第一绝缘层的下表面齐平。区域保护部件由孔塞和导线构成的第二整体的结构形成。第二整体结构从第一绝缘层的上表面延伸到第一绝缘层的下表面。区域保护部件包围着在水平平面上的边界区分隔的第一到第n区(n是自然数2或更大)中一个区。

公开(公告)号：CN101350340B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200810125628.9

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

公开(公告)号：CN101350340A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810125628.9

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

公开(公告)号：CN1848407A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073921.6

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。